磁控溅射工艺参数对PZT薄膜电性能的影响文献综述

钛酸锆铅(Pb(Zr,Ti)O3,PZT)薄膜作为一种重要的功能陶瓷材料，因其优异的铁电性、压电性、介电性和热释电性，在铁电存储器、微传感器、微执行器等领域有着广泛的应用前景。

磁控溅射法因其沉积速率高、成膜质量好、易于控制等优点，成为制备PZT薄膜最常用的方法之一。

然而，PZT薄膜的电性能对磁控溅射工艺参数非常敏感，不同的工艺参数会显著影响薄膜的成分、结构、形貌等，进而影响其电性能。

本文综述了磁控溅射PZT薄膜的研究现状，重点讨论了溅射压强、溅射功率、衬底温度、靶材成分、溅射气氛等工艺参数对PZT薄膜结构和电性能的影响，并对未来的研究方向进行了展望。

关键词：PZT薄膜；磁控溅射；工艺参数；电性能；文献综述

随着微电子技术的飞速发展，对电子元器件的小型化、集成化和多功能化提出了更高的要求，促使人们不断寻求性能优异的新型电子材料。

其中，铁电薄膜材料因其独特的自发极化特性，在信息存储、传感驱动、能量转换等领域展现出巨大的应用潜力，成为近年来材料科学领域的研究热点之一[1-3]。

在众多铁电薄膜材料中，钛酸锆铅(Pb(Zr,Ti)O3,PZT)基铁电薄膜以其居里温度高、介电常数大、压电系数高、响应速度快等优异性能，成为制备高性能铁电器件的首选材料之一[4-6]。

PZT薄膜的制备方法主要有溶胶-凝胶法、脉冲激光沉积法、化学气相沉积法、磁控溅射法等[7-10]。

其中，磁控溅射法因其沉积速率高、成膜均匀性好、易于控制、成本相对较低等优点，成为制备PZT薄膜最常用的方法之一[11-13]。