基于CdTe荧光淬灭检测过氧化氢开题报告

 2021-08-08 22:57:33

1. 研究目的与意义

电子行业:硅作为最重要的电子技术材料,广泛应用于各种半导体器件中。

但晶体硅的发光效率很低,且不能发射可见光,限制了硅在光电子器件中的应用。

为了实现电子器件和发光器件的全硅光电子集成,使硅材料实现高效率发光,成为硅基光电子学的重要课题。

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2. 国内外研究现状分析

近年来,关于多孔硅的基础理论及其应用研究取得了很大进展.目前多孔硅的应用主要体现在以下方面:绝缘材料、敏感元件及传感器、照明材料及太阳能电池、光电器件以及作为合成其它材料的模板,尤其在光电应用方面,可把多孔硅作为发光器件集成在发展成熟的大规模微电子电路里,也就是把传输速率比电子高几个量级的光子作为一种信息载体引入到硅基微电子电路里,这样可望实现廉价的光电子集成.多孔硅发光二极管性能的改善,导致了双极硅晶体管与多孔硅发光二极管光电集成的实现,尽管该电路仅是一个结构简易的电路原型,但其制备工艺与标准硅集成电路制备工艺的兼容性与获得的稳定电路特性标志着建立在全硅基础上的光电集成电路已经取得了重大进展.但是全硅光电集成电路要获得实际应用,面临的问题仍不少.从整个硅基光电集成电路领域来看,人们还需对各类硅基发光材料进行深入的基础理论和制备工艺的研究,为全硅光电集成电路的发展提供新途径、新概念和新思路。

3. 研究的基本内容与计划

制备烷基化多孔硅纳米颗粒,检测它的荧光稳定性。

    大概计划:采用硅片作阳极,铂片(或丝)作阴极,通过恒定电流对硅片进行腐蚀。

制备出粉末状多孔硅。

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4. 研究创新点

通过文献找到几种制备多孔硅的方法:    6.1阳极腐蚀    6.2锈蚀    6.3火花腐蚀    6.4水热腐蚀

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