1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）
1.前言自从块体石墨成功剥离石墨烯[1]以来，原子厚度的二维(2d)材料，例如石墨烯本身，过渡金属硫族化合物(tmd)和磷烯，因其非凡的性能而备受关注，并且在传感、能量存储、催化等方面有卓越的应用[2-7]。
所有的这些二维材料都具有可以相互补充或独特的电学和光电特性。
然而，石墨烯及其同类第iv族二维材料硅烯和锗烯，没有本征带隙，作为晶体管开关比往往很低，作为光电探测器件暗电流大。
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2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案
1)使用Materials Studio或其它绘图软件，绘制二维GeP电子结构示意图；2)使用Origin软件进行数据处理，绘制能带结构图；3)使用Origin软件进行数据处理，绘制态密度图；4)利用VESTA软件进行差分电荷密度的数据处理，以图片形式给出吸附分子与GeP之间的电荷转移情况。
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