聚合物基神经突触型忆阻器的设计与制备开题报告

 2021-10-25 21:06:09

1. 研究目的与意义(文献综述包含参考文献)

基于聚合物的突触型阻变存储器的设计与制备摘要 神经形态体系结构以其运算速度快、可缩放、能耗低等优点成为当前计算系统的发展方向。

阻变存储器中部分器件可以根据电刺激逐渐改变其电阻状态,能够表现出极好的突触行为。

此外,阻变存储器不需要编程支持就可以作为突触单元进行工作,这极大地满足了神经形态计算的要求。

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2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

一、研究的问题:本课题基于pvk的rram展开研究,发展具有突触特性的基于聚合物的存储材料与器件,并对器件的存储性能与突触可塑性进行测试与表征,具体研究内容如下:1、通过文献阅读以及对本课题组前期的科研成果进行归纳与总结,总结出能够用作器件rs层的pvk基材料以及改变pvk的各种方法;2、通过实验,合成出符合要求的pvk基rs层材料,并制备器件;3、对rs层材料进行表征,以获得rs层材料的宏观及微观形态,并计算和分析rs层材料的能级和带隙;4、对基于pvk的rram进行测试来获得器件的存储性能,进而分析器件的突触可塑性,并加以改进。

二、拟采取的研究手段(途径):1、rs层材料的表征:借助光学和电子等表征手段对所制备的rs层材料进行宏观及微观形态的表征;计算和分析所制备的rs层材料的能级和带隙。

2、rram器件的测试:利用电学测试设备对器件的存储性能进行测试;通过i-v测试分析器件的突触可塑性,并以此给出改进的方案。

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