1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）
1.hit太阳能电池研究现状及存在问题hit(heterojunctionwith intrinsicthin-layer)太阳能电池，即具有本征非晶硅薄层的异质结太阳能电池，利用了非晶硅薄膜/单晶硅衬底的异质结结构，从而结合了单晶硅和非晶硅太阳能电池优良的特点。
hit电池源于1983年提出的非晶硅/晶体硅堆垛电池结构设计。
1990年日本kaneka公司最开始研究异质结太阳能电池[1]。
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2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案
1.熟悉hit电池的含义及其结构2.熟悉基于泊松方程和电子、空穴的连续性方程，其中泊松方程的各种计算方法，了解其各自应用的范围，计算时选择最合适的方法。
3．熟悉amps-1d,ms等计算软件的使用方法，并能熟练使用。
4．使用软件来计算和绘制能带图和电池结构示意图。
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