n型单晶硅电池性能的模拟研究开题报告

 2021-10-28 08:10

1. 研究目的与意义(文献综述包含参考文献)

文 献 综 述1. 引言太阳能电池是利用光伏效应将太阳能转换为电能的一种半导体器件。

所谓的光伏效应就是在内置电场的作用下,由光生少数载流子与多数载流子相互分离所产生的。

光伏效应在某些特定的材料中十分普遍,例如硅(si)、锗(ge)以及一些Ⅲ-Ⅴ族化合物。

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2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

本课题要研究的问题(1) 研究n型硅片衬底厚度与掺杂浓度对电池性能的影响;(2) 研究发射结的厚度与掺杂浓度对电池性能的影响;(3) 研究减反膜厚度对电池性能的影响;(4) 研究背表面复合速度和少子寿命对电池性能的影响。

拟采用的研究手段本文采用pc1d仿真软件来模拟n型单晶硅太阳能电池的特性。

pc1d软件通过解在一定边界条件下的泊松方程、电子和空穴的连续性方程,得到电子和空穴的准费米能级,最终得到电池的电流-电压定量数学关系,从而获得电池的基本性能参数,包括电池的开路电压voc、短路电流密度jsc、i-v特性、电池效率、填充因子ff等。

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