N掺杂MoO3-x的制备及气敏性能研究开题报告

 2022-01-11 06:01

全文总字数:4964字

1. 研究目的与意义(文献综述)

随着人类社会的不断发展,工业化程度的不断加深,人类需求不断增大,对生产安全以及环境污染等问题的重视程度也在不断提高,因此就需要切实可行的手段来进行检测,而在环境监测、危险气体泄露报警等方面,气敏器件起到重要作用,同时性能优良的气体传感器还可以有效提高生产过程的自动化程度,推进工业化生产向着科学化管理进一步完善。

在众多气敏传感器中,作为气体传感器之一的半导体气体传感器结构简单、成本低廉、可信度高,成为当前的研究热点,[1-3]在气体传感器中约占60 %。同时,半导体气体传感器相比传统的化学分析方法具有很多优势,例如高灵敏度、低成本和便携性,可以广泛应用于检测毒性气体、化学过程控制、环境中空气污染物的监控。[4]其中电阻式半导体传感器更是由于制作简便、对形貌要求低而被广泛应用。

我国钼产资源丰富,是世界第二大储钼国。近年来我国注重对钼工业的发展,因此其开釆、加工技术都已达到较高水平。钼的消费形式以moo3为主,约占70 %,成为国民经济中一种重要原料和战略物质。而且三氧化钼具有独特的层状结构、多价态等特点而具有气敏研究与应用价值,近年来备受研究者们关注。[5]然而在实际应用过程中,其工作温度较高、灵敏度有待进一步加强。研究者们通过掺杂改性,引入杂质能级,提高表面缺陷浓度,增加活性位点,增加对气体吸附,从而大大提高材料原有的气敏性能。然而目前掺杂多限于金属掺杂,如v[6]、cd等,对非金属元素的掺杂较为少见。

n作为一种非金属元素,掺杂三氧化钼可以有效地缩小带隙,增加活性位点,[7,8]现已有在光吸收等方面的应用。[9]本课题拟利用n对moo3进行掺杂,通过对其物相、尺寸、缺陷等信息进行表征与分析,研究其对不同气体的响应,分析n掺杂对moo3纳米材料气敏性能的影响。

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2. 研究的基本内容与方案

2.1 基本内容

材料制备:制备moo3纳米带和n掺杂的moo3-x纳米带。

材料表征:利用xrd、fesem、eds等测试手段对产物的物相、形貌、组成等微观结构进行表征,分析n掺杂对材料微观结构的影响。

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3. 研究计划与安排

第1-3周:文献调研,整理资料,翻译英文文献;在任务书的基础上,设计研究方案,确定切实可行的实验技术路线,了解相关的结构和性能的测试方法并撰写开题报告,为开题答辩做准备;

第4-8周:按照设计方案,制备moo3纳米材料及n掺杂moo3-x纳米材料,并对其进行微观结构表征。

第9-12周:对n掺杂moo3-x纳米材料进行气敏元件组装,探究材料对不同气体的亲性能。

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4. 参考文献(12篇以上)

[1] ritesh kumar,habeebur rahman,sapana ranwa,arvind kumar,gulshan kumar. development of cost effective metal oxide semiconductor based gas sensor over flexible chitosan/pvp blended polymeric substrate[j]. elsevier ltd,2020,239.

[2] materials research; findings from kurukshetra university provide new insights into materials research (numerical modelling of the potential inside the cylindrical shaped nanocrystallite metal oxide semiconductors and its effect on gas sensor response)[j]. electronics newsweekly,2020.

[3] seong‐yong jeong,young kook moon,tae‐hyung kim,sei‐woong park,ki beom kim,yun chan kang,jong‐heun lee. ethylene sensors: a new strategy for detecting plant hormone ethylene using oxide semiconductor chemiresistors: exceptional gas selectivity and response tailored by nanoscale cr2o3 catalytic overlayer (adv. sci. 7/2020)[j]. advanced science,2020,7(7).

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