直接沉淀法制备氢氧化镁晶须2开题报告

1. 研究目的与意义

我国拥有十分丰富的镁资源、分布广泛，主要存在于矿产、盐湖和海水中。

但是，目前国内盐湖卤水资源开发利用主要是生产钾肥和提锂，其含镁副产品技术含量低，大多以极低的价格被处理。

目前市场上对晶须产品的需求巨大，氢氧化镁晶须具有低的表面能、良好的机械强度、高弹性模量等特性，作为阻燃剂和增强材料有着独特的优势，具有广阔的应用前景。

2. 国内外研究现状分析

晶须也属于广泛意义上的晶体，其生长机理复合经典的晶体生长理论。

经典的晶体生长过程一般要经过三个阶段，即溶液过饱和、粒子间成核和晶核生长。

氢氧化镁晶须的生长遵循晶体生长的一般过程，根据研究发现，在氢氧化镁晶须的制备过程中，存在两种生长过程；一是采用直接沉淀法制备氢氧化镁晶须时，晶体在位错方向上延伸生长，即晶须的螺旋位错生长机理;二是采用沉淀转化法制备氢氧化镁晶须时，氢氧化镁晶须以镁盐晶须为模板进行生长，即以前期晶须为模板的模板生长机理，镁盐晶须模板主要有碱式氯化镁晶须和碱式硫酸镁晶须。

3. 研究的基本内容与计划

对氢氧化镁晶须的制备技术进行了研究,以氯化镁和碱液为原料采用直接沉淀法制备氢氧化镁晶须,其制备过程主要包括沉淀反应、晶化反应、洗涤过程和干燥过程四个阶段。

氢氧化镁晶须制备工艺条件研究:选择合适的助剂(硬脂酸锌),对液相反应阶段的工艺条件进行优化。

添加硬脂酸锌制备氢氧化镁晶须的工艺条件:沉淀温度、晶化温度和晶化时间。

4. 研究创新点

以氯化镁和氢氧化钠为原料,采用直接沉淀法制备氢氧化镁晶须,工艺流程简单,条件便于控制,可降低成本,便于氢氧化镁晶须的工业化。

通过添加硬脂酸锌制备氢氧化镁晶须,明确了外离子在晶须生长过程中的导晶作用,根据负离子配位多面体生长基元理论对其生长进行解释,对氢氧化镁晶须的生长机理有了进一步了解。