1. 研究目的与意义
研究背景:
在如今这个日新月异的时代，几乎所有的事物都在飞速发展，通信技术较之上个十年也有了巨大的变化。随着人们生活质量的提高，人们对通信技术的要求也愈发的严格，尤其体现在对信息的传输速率及传输质量等方面。zigbee，bluetooth，宽带等一系列的无线传输技术的发展进入了新的阶段，然而这些发展都离不开射频技术，对于射频系统来说，射频功率放大器是最重要的部件之一。射频功率放大器的主要功用是放大射频信号，并且以高效率输出大功率为目的。但因技术的机密性，使其设计和生产成为射频系统性能提高的一个瓶颈。
研究目的及意义:
在用新型晶体管hbt来设计宽带功率放大器时，随着频率的升高，砷化镓异质结双极型晶体管自身寄生电容cce、cbe、cbc等对器件性能的影响明显增加，使得hbt共发组态工作模式下的输出反射系数s22在某一频率点出现kink效应，而这个效应会给宽带输出匹配设计带来困难。本课题研究目的是想通过一种基于负反馈技术的复合管来消除hbt晶体管的kink效应，从而解决工作带宽需跨越kink频率点的宽带输出匹配设计难题。
2. 研究内容和预期目标
预期目标和研究内容：
本研究课题的预期目标主要是想通过一种基于负反馈技术的新型HBT复合晶体管结构来设计一款宽带功率放大器，通过这个宽带功率放大器来解决Kink效应带来的宽带输出匹配设计的困难。主要研究内容是研究解决HBT晶体管产生的Kink效应带来的在宽带输出匹配设计方面的难题。从消除HBT Kink效应的角度出发，扩展功率放大器的带宽，改善功率放大器的线性度和材料的热稳定性，提高器件的可靠性。
3. 研究的方法与步骤
研究方法及步骤：
主要研究方法是设计一种新型HBT复合晶体管，这种复合管结构是通过反接一个晶体管作为负反馈支路，从而达到消除Kink效应的目的，解决宽带输出匹配设计的困难。最终的验证方法是设计两款不同的宽带功率放大器，一种是采用新型晶体管HBT的宽带功率放大器，另一种是以简单管作为有源器件的宽带功率放大器，通过这两款宽带功率放大器的比较，最后证明新型HBT复合晶体管结构有着明显的带宽优势和良好的增益效果并且负载端易匹配。
4. 参考文献
[1] 王旭．基于ieee802.16d的wimax基站系统实现技术研究[d]：[硕士学位论文]．南京：东南大学软件学院，2007：3-6
[2] 薛正辉，杨仕明，李伟明，任武．微波固态电路[m]．北京：北京理工大学，2004：160-174
[3] 李芹，王志功，熊明珍等．x波段宽带单片低噪声放大器[j]．固体电子学研究与进展，2005，25(2)：14-23
5. 计划与进度安排
1、3.5-3.15 查阅资料，完成开题报告，完成外文资料的翻译。
2、3.16-3.31 熟悉microwaveoffice环境，收集查询资料。
3、4.1-4.10确定设计思想，按要求设计电路。
