氮化镓（GaN）半导体材料电阻率表征与分析开题报告

1. 研究目的与意义

1.1 研究背景随着第三代半导体材料的不断发展，氮化镓（gan）材料的研究与应用是全球半导体研究的前沿和热点。

因其禁带宽度大、击穿电场高、电子饱和漂移速度高、介电常数小、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等独特的特性，在高亮度发光二极管(led)、短波长激光二极管(ld)、高性能紫外探测器和高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景。

电阻率是gan材料重要的电学性质之一，是判断掺杂浓度的主要参数；电阻率的测量在半导体制造业中也意义重大，它能直接影响生产出来的gan基材料器件的性能。

2. 研究内容和预期目标

2.1研究内容

（1）了解氮化镓（gan）半导体材料

充分了解gan材料的各方面性质与制备方法，对gan材料应用方向与器件进行调查，分析不同的器件对电阻率的要求。

3. 研究的方法与步骤

3.1研究方法

（1）查阅相关资料和文献，了解国内外关于半导体材料电阻率的测试方法，从中整理和总结出较适合的测试方法，为课题研究做好充分准备。

（2）调研测试设备，通过软硬件的学习与使用，对设备有充分了解，能够独立进行实验。

4. 参考文献

[1]贺格平，魏剑，金丹.半导体材料.北京：冶金工业出版社，2018.8

[2]许振嘉.半导体的检测与分析（第二版）.北京：科学出版社，2007

[3]刘新福，杜占平，李卫民.测试技术原理与应用.北京：冶金工业出版社，2007.7

5. 计划与进度安排

3.1--3.15 课题调研，了解相关技术和要求；

3.16--3.29 查阅资料，撰写并提交开题报告；

3.30--5.3 实验分析，数据整理，完成论文初稿；