基于温度传感器掺杂非晶硅锗薄膜的制备和性能研究开题报告

1. 研究目的与意义

1.1 研究背景

温度传感器是最早开发的，并且应用最广泛的一类传感器，它的市场份额也远超其他传感器。早在17世纪人们就开始使用温度测量，随着半导体技术的发展，20世纪至今相继开发了半导体热电偶传感器、pn结温度传感器和集成温度传感器。与之相应，根据波与物质的相互作用规律，相继开发了声学温度传感器、红外传感器和微波传感器。现代信息技术的三大基础是信息采集(即传感器技术)、信息传输(通信技术)和信息处理(计算机技术)。传感器属于信息技术的前沿尖端产品，尤其是温度传感器被广泛用于工农业生产、科学研究和生活等领域，数量高居各种传感器之首。

1.2 研究目的

2. 研究内容和预期目标

2.1研究内容

（1）了解pecvd制作非晶硅薄膜

充分了解pecvd的工作原理以及操作细节。

3. 研究的方法与步骤

3.1研究方法

（1）查阅相关资料和文献，了解国内外非晶硅薄膜的发展现状，从中整理和总结出实现方法课题研究做好充分准备。

（2）熟练掌握光刻、pecvd、刻蚀等相关设备并掌握整个微纳加工流程；完成器件制备。

4. 参考文献

[1]陈哲权; 基于非制冷微测辐射热计的非晶硅锗薄膜电学特性研究.2019-3.

[2]李娟；非晶硅/非晶硅锗双结薄膜太阳能电池的模拟研究.2018-10.

[3]王成刚；非制冷红外焦平面探测器热敏薄膜技术研究进展.2017-8.

5. 计划与进度安排

3.1--3.15 课题调研，了解相关技术和要求；

3.16--3.29 查阅资料，撰写并提交开题报告；

3.30--5.3 实验分析，数据整理，完成论文初稿；