1. 研究目的与意义
九十年代中后期开始大批量生产ldmos（laterally diffused metal oxide semiconductor：横向扩散金属氧化物半导体），作为微波低端大功率（20w以上）器件的主流技术，2.4ghz以下输出峰值可达到200w以上，年产量超过4亿美元。与传统的双极型晶体管相比，ldmos器件在2.4ghz以下频段时，增益、线性度、开关性能、散热性能、价格等方面都有明显的优势。今后ldmos将向更高频率、更底成本方向发展。ldmos是为900mhz蜂窝电话技术开发的，蜂窝通信市场的不断增长保证了ldmos晶体管的应用，也使得ldmos的技术不断成熟，成本不断降低，因此今后在多数情况下它将取代双极型晶体管技术。与双极型晶体管相比，ldmos管的增益更高，ldmos管的增益可达14db以上，而双极型晶体管在5~6db，采用ldmos管的pa模块的增益可达60db左右。这表明对于相同的输出功率需要更少的器件，从而增大功放的可靠性。
自本世纪初以来，硅基射频横向扩散金属-氧化物-半导体（rf ldmos）功率晶体管的技术不断进步，性能不断提高，具有增益高、线性好、输出功率大及可靠性高等优点，其工艺与常规的cmos工艺兼容，成本低廉。射频ldmos晶体管在性能上优于硅双极晶体管和镓砷场效应管，一跃成为移动通信基站与l、s波段雷达中功率放大器的首选器件。
移动通信不断发展，基站数量将急剧增加，对ldmos器件需求巨大。因此，自主研发高性能的民用射频ldmos功率器件并逐步实现产业化，不仅能够填补国内民用射频通信器件国产化的一项空白，而且还可以打破国外企业在此领域的垄断，具有经济和战略上的双重意义。
2. 研究内容和预期目标
研究内容：
（1）rf ldmos的器件模型；
（2）射频功率放大器的一般设计流程；
3. 研究的方法与步骤
方法：
1.首先查阅相关资料，对资料进行研究和整理，结合实际需要提出设计方案。
2.对于射频功放rf ldmos进行小信号s参数仿真，针对869~960mhz频率范围内进行一个匹配电路的分析，计算出在这个频段内的输入输出阻抗，使其能匹配的到50Ω的系统参考阻抗，最后完成匹配设计的完整的射频功放电路。
4. 参考文献
[1]杨务诚. gaas hbt mmic 功率放大器的设计[d]: [硕士学位论文]. 湖南：湖南大学，2012
[2]王锋，胡善文，张晓东等. 一种用于rf ldmos功率放大器的匹配技术[j]. 固体电子学研究与进展，2011，31(2): 159-164
[3]王钦，孙伟锋，刘侠等. 体硅高压ldmos器件温度分布模型[j]. 电子器件，2007，30(3): 6779-782
5. 计划与进度安排
(1)2022.2.20-2022.2.26图书馆查阅资料；
(2)2022.2.27-2022.3.5网上查阅资料；
(3)2022.3.6-2022.3.12完成开题报告；
