1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）
文 献 综 述1.导言材料、能源与信息科学被并称为人类社会的三大资源，是现代科学技术的三大支柱，是新技术革命的先导。
现代高技术的发展，更是紧密依赖于材料学科的发展。
随着现有半导体电子器件尺寸的不断减小，能耗问题、量子隧穿与量子涨落效应等问题，从根本上阻碍了半导体电子器件的进一步微型化和集成化，成为现代信息和电子技术发展的瓶颈。
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2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案
1. 查阅近年来有关磁性拓扑绝缘体的中英文文献，了解课题的发展历史、现状以及趋势。
2.学习掌握助溶剂法（flux method），利用助熔剂法精细调控生长温度，生长配比等生长拓扑绝缘体(bi2te3)n(mnbi2te4)m。
3．研究(bi2te3)n(mnbi2te4)m磁性的调控，研究测试生长样品的输运特性等，实现较低磁场下的量子反常霍尔效应。
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