1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）
一、本课题研究目的gaas是典型的iii-v族化合物半导体材料（Ⅲ-Ⅴ族化合物材料主要包括 gaas, inp, gan, alas 等二元化合物, 以及由 ga, as, in, p, a l, n 等 Ⅲ族、Ⅴ族元素构成的三元和四元化合物。
）[1]，具有直接能带隙，带隙宽度为1.42ev(300k)，正好为高吸收率太阳光的值，与硅晶体太阳能电池和薄膜电池相比，gaas太阳能电池可采用聚光技术和光追踪技术,优势突出。
其优势表现在以下几个方面:①转化效率高。
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2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案
研究的重难点：叠层太阳能电池的设计难题在于要寻找两种晶格匹配良好的半导体晶体， 其禁带宽度将引起高效率的能量转换。
此外，在理想的情况下，电池导带的最上层应该有与底层价 带大约相同的能量，这使得顶端半导体的电子被太阳光激发 后能够很容易的从导带进入底部半导体晶格的孔（价带），电子在价带上又被不同波长的太阳光激发。
这样一来，两部分的电池一起工作，像两个串连的蓄电池，并且总功率与两个电池的功率总和相等。
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