1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）
文献综述
1.引言
近年来，低维纳米结构的半导体材料引起了广泛的关注，尤其是一维(1-d)纳米材料在维数和大小物理性质的基础研究中有潜在的优势，同时在光电纳米器件和功能材料中的应用研究成为热点[1]。氧化锌由于在室温下较大的导带宽度和较高的电子激发结合能(60mev)及光增益系数(300cm-1)而使之具有独特的催化、电学、光电学、光化学性质，在太阳能电池[2]、表面声波和压电材料、场发射[3]、纳米激光[4]、波导、紫外光探测器、光学开关、逻辑电路[5，6]等领域潜在的应用等方面均具有广泛的应用前景，被称为第三代半导体材料。本文就氧化锌纳米棒及其阵列的制备、反应机理、应用研究等进行简要的综述。
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2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案
1需解决的问题：
（1）掌握纳米zno的培养步骤及操作方法。
（2）控制纳米zno的生长方向
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