1. 1. 毕业设计（论文）的内容、要求、设计方案、规划等
离子注入技术是半导体制造中进行掺杂的重要工艺。经高电场加速的注入杂质离子，一旦进入半导体硅片表面时，杂质原子与衬底表面原子产生将发生相互碰撞，使原有晶格的原子产生级联位移，形成注入层表面晶格缺陷，构成复杂的表面辐射损伤。课题研究注入辐射引起的注入层结构的物理性质变化和损伤形成机理，损伤与注入元素、能量、剂量和半导体靶材料本身物理性质的关系。如何通过快速热退火方法(rtp)消除其产生的不良影响。论文对损伤的机制；对如何消除进行实验方法的介绍；结合工艺实例论证说明结果。
本毕业设计主要工作：
1. 概述离子注入在半导体制造中的用途、优点及实现方法；
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2. 参考文献（不低于12篇）
［01］北京市辐射中心,北京师范大学低能核物理研究所离子注入研究室.离子注入原理与技术[m].北京：北京出版社,1982
［02］王贻华,胡正琼.离子注入与分析基础[m].北京：航空工业出版社1992,7
［03］罗晋生.离子注入物理[m].上海：上海科学技术出版社,1984
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