1. 1. 毕业设计（论文）的内容、要求、设计方案、规划等
电阻率是半导体材料的重要电学特性之一，硅单晶的电阻率与硅半导体器件的性能有着十分密切的关系。薄层电阻是半导体制造中掺杂浓度测量最常用的工艺参数，由于pn结的反向隔离作用，扩散层下的衬底可视为绝缘层，如果样品扩散层厚度远小于探针间距s，薄层的横向尺寸可视为无限大，由此可引入薄层电阻又称为方块电阻（r□）的概念。薄层电阻可以理解在硅片上正方形薄膜两端之间的电阻。它与薄膜的电阻率和厚度有关。本研究通过学习理解四探针测量原理，了解半导体掺杂工艺，掌握仪器使用方法，结合多种样品进行实验测量分析，完成论文。
课题要求：
1.理解、论述四探针法测量半导体材料电阻率及薄层电阻的意义、原理及特点；
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2. 参考文献（不低于12篇）
[01] (美) donald a. neamen.半导体物理与器件 [m].北京：电子工业出版社，2010
[02] 朱秉升, 罗晋生，刘恩科.半导体物理学.第7版 [m].北京：电子工业出版社，2008
[03] (美) peter van zant著，韩郑生 译.芯片制造:半导体工艺制程实用教程[m].北京：电子工业出版社，2010
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