铝/铁掺杂的非晶碳膜/铝纳米薄膜记忆电阻器的制备方法任务书

 2023-09-08 09:06:05

1. 毕业设计(论文)的内容和要求

设计的薄膜记忆电阻具有两个阻态且阻值恒定。

2. 实验内容和要求

以石英玻璃基片作为衬底,利用激光脉冲沉积(PLD)技术来制备a-C:Fe膜,然后运用真空热蒸发的方法在非晶碳膜上镀上两个Al层,最后用Al电极接线制备成纳米薄膜记忆电阻器。制备的记忆电阻具有两个阻态,且高低阻态可切换,操作电压低。

3. 参考文献

[1]何聪丽.氧化石墨烯基电阻型存储材料的研究[d].宁波:中国科学院宁波材料技术与工程研究所,2010.

[2]刘大力,杜国同,王金忠等.氧化锌薄膜的掺杂特性[j].发光学报,2004.25(2):134-138

[3]w.x.hou,q.h.wang,langmuir 25(2009)6875.

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4. 毕业设计(论文)计划

3.1日-3.15日制备器件;

3.16日-3.30日检测器件;

5.1日-5.4日总结数据,写论文。

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