1. 毕业设计（论文）的内容和要求
制备一种钴掺杂的非晶碳膜/GaAs/Ag光敏电阻器件，检测其特性。
2. 实验内容和要求
1.学生独立制备一种钴掺杂的非晶碳膜/GaAs/Ag光敏电阻器件
2.学生独立检测所制备器件特性
3.分析数据总结所制备器件优缺点。3. 参考文献
1. m. a. tamor and w. c. vasell, raman fingerprinting of amorphous carbon films, j. appl. phys. 76(6), 3823(1994).
2. x. l. gao, x. z. zhang, c. h. wan, x. zhang, l. h. wu, and x. y. tan, abnormal humidity-dependentelectrical properties of amorphous carbon/silicon heterojunctions, appl. phys. lett. 97(21), 212101 (2010).
3. n. l. rupesinghe, m. chhowalla, g. a. j. amaratunga, p. weightman, d. martin, p. unsworth, and j. murray,influence of the heterojunction on the field emission from tetrahedral amorphous carbon on si, appl. phys.lett. 77(12), 1908 (2000).
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4. 毕业设计（论文）计划
（1）3.1日-3.15日制备器件
(2) 316日-3.30日检测器件
(3) 4.1日-5.4日总结数据，写论文。
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