不同基底结构下二硫化钼薄膜辐射特性研究
开题报告
一、研究背景及意义
二维过渡金属硫化物在电子器件、光伏器件、能量存储、传感等方面展现出了广泛的应用潜力。作为金属硫化物的一员，二硫化钼（）由于具有较强的门电极可控性、较大的开关比、较高的载流子迁移率及较低的待机能耗，在微电子器件，光电器件和生物医学领域都具有重要的运用，然而这些运用都涉及到温度的管理和控制方面，因此研究二硫化钼的热稳定性能非常重要[1]。
科研人员一直在尝试能大规模高效率的制备大面积、晶格完整的单层及多层二硫化钼，常用的方法包括机械剥离法[2]、液相超声法[3]、锂离子插层法[4]、热分解法[5]、化学气相沉积法[6]等。
目前不同的基底结构对二硫化钼薄膜性能的影响尚未十分清楚，不同层数对于二硫化钼薄膜特性也仍需更深入的研究，并且单层二硫化钼的大面积高效制备在目前也比较困难。此外，单层二硫化钼薄膜由于其单原子的厚度的限制，对可见光的吸收率和光伏能量转换效率极低[7]。那么对于多层的二硫化钼薄膜，其性能是否有所提升，成为我们需要深入研究的一个问题。因此需要对不同基底下多层二硫化钼的薄膜特性进行研究，与单层二硫化钼薄膜进行比较。
本课题主要利用FDTD或COMSOL软件，通过建立模型、网格划分、数值模拟计算等方法，分析二硫化钼薄膜组合结构在可见光波段的吸收特性，研究组合结构中各部分能量分布，为多层二硫化钼薄膜特性等研究提供理论基础。
二、国内外研究现状
近年来，层状二硫化钼由于其特殊的类石墨烯结构和独特的物理化学性质已成为国内外研究的热点。在国外有关的研究中，已经有学者对相关问题进行了实验探索，对二硫化钼的光学性质进行了研究。
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