文献综述
1 引言 1972 年，日本科学家 Fujishima 等[1]首次发现半导体金属氧化物 TiO2 可以光解水这一现象，此后半导体光催化技术就成为催化研究领域的一大热点。
TiO2 具有化学性质稳定且价格低廉、催化活性较高、耐腐蚀性强以及无污染等优点，备受研究人员的青睐。
但是 TiO2 光催化技术的大规模应用还存在一些困难，主要原因在于其较大的禁带宽度（E=3.2 eV）对应的激发波波长范围在紫外光区，而太阳光中紫外光的比例远远小于可见光，对太阳能的利用率较低；此外，由于光激发产生的电子和空穴复合率高，导致光量子效率降低。
因此拓宽光催化剂的光谱响应范围、抑制电子和空穴的复合是 TiO2 可见光催化研究的重要方向[2-5]。
本文综述了 TiO2 可见光催化机理以及改性使得 TiO2 可见光光催化性能增强的方法。
2 TiO2 光催化机理 TiO2 的能带由一个充满电子的低能价带（VB）和一个空的高能导带（CB）构成，价带和导带之间存在一个区域为禁带，该区域的大小称为禁带宽度（Eg）。
当能量大于或等于禁带宽度的光源照射到半导体 TiO2 上时，低能价带的电子（e-）被激发跃迁到高能导带上，在价带处留下一个空穴（h ），这样就形成了一个电子-空穴对。
在电子-空穴对参与下可以发生如下反应[6]：（1）电子、空穴直接复合：TiO2 hnu; →h e- （1）h e- →hnu;/heat （2）（2）电子、空穴与 OH-、H2O 及 O2 反应：h OH- → OH (3)h H2O → OH H (4) e- O2 → (5)（3）OH、电子、空穴与电子给体、受体、有机物反应： OH A → A H2O (6)e- B → B- (7)h A → A (8)3 纳米 TiO2 可见光催化剂改性制备技术 3.1 离子掺杂 对于光催化过程来说，只有捕获光生载流子并与受体发生作用才是有效的[7]。
因此改善光催化性能我们可以从抑制光生载流子的复合，提高界面电子转移速率常数出发。
