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- 文献综述（或调研报告）：
随着无线通信技术的快速发展，相控阵技术得到广泛的应用，相控阵雷达具有指向更灵活、可同时形成多个独立波束、抗干扰能力更好、适应能力更强等优点。衰减器是相控阵雷达收发系统中的重要模块，其可实现增益控制，调节信号电平使后级电路正常工作。
CMOS工艺具有高密度、低功耗、低成本的优点，可以采用CMOS工艺来实现衰减器。
可以通过改变输出电阻值来改变增益。1999年，Mostafa M等采用0.6 CMOS工艺，用开关改变输出电阻大小来控制增益，实现了70dB的增益控制范围和2dB的步进值[1]。2003年，Wu C-P等采用0.35 CMOS工艺，采用多晶电阻和MOS管电阻并联的结构，通过控制MOS管栅极电压，改变其等效电阻来控制增益，实现了84dB的增益控制范围和1dB的步进值[2]。这种结构的VGA动态范围大，工作稳定，但输出节点通常是放大器的主极点，因此，输出电阻的变化将导致带宽的变化。增益越高，带宽越小。
还可以通过改变放大器的等效跨导，即改变流入负载电阻的电流的大小来改变增益。2000年，GUO C-B等采用0.5 CMOS工艺，采用吉尔伯特电路结构，由控制电压控制电流大小来改变增益，实现了70dB的增益范围[3]。吉尔伯特电路适用于小信号输入情况，在大信号输入情况下，MOS管可能进入线性区，电路不能正常工作。2000年，Song W C等采用0.35 CMOS工艺，直接用控制电压控制跨导来实现增益变化[4]。这一方法实现简单，可以获得大带宽和低噪声，缺点是难以准确控制增益，输出信号动态范围受限。
为了使自动增益控制系统具有恒定的环路建立时间，则需增益控制部分的控制电压与增益的分贝值具有线性关系。可以将工作在饱和区的MOS管的平方律特性逼近指数函数泰勒展开式，从而逼近指数函数[5]。也可以工作在线性区的MOS管产生指数形式的控制信号[6]。
在增益控制过程中，衰减器的附加相移应尽可能小。对于晶体管自身的寄生电容引起的相位波动，可以采用串联反馈电阻[7]和源极负反馈电阻[8]对相位波动进行补偿。在电流舵结构中，可以采用并联电容[9]和并联电感[10]补偿VGA的附加相移。当不同电路的相位特性相反时，可采用级联电路减小附加相移，例如，分裂式共源共栅结构与电流舵结构相位特性相反，可以将它们级联进行相位补偿[11]。
近几年提出的一些CMOS 可变增益放大器如下：
2013年，Wei-Tsung Li等基于90nm CMOS工艺，采用电流舵结构和共源共栅结构偏置，实现了6.2dB的增益动态范围，1.86。的相移，电流舵结构和共源共栅结构偏置的相位特性相反，可减小附加相移[12]。
2014年，Di-Sheng Siao等基于65nm CMOS工艺，采用共源共栅结构与电流舵结构级联，实现了33dB的增益动态范围，工作频带为57-66GHz，相移小于7。，直流功耗为10.9mW[13]。
2015年，Elena Sobotta等基于28nm CMOS工艺，采用差分结构，用电流镜提供偏置电流，在输出端口添加晶体管以提高隔离度，该电路实现了25dB的增益控制范围，工作频带为0.01-13GHz，相移小于3.5。，直流功耗为7.6mW，1dB压缩点为-10dBm[14]。
