硅薄膜制备与光刻技术研究开题报告

1. 研究目的与意义

一、背景：

硅薄膜在新能源电池、电子器件中都有广泛应用，硅薄膜太阳能电池相对于单晶硅和多晶硅太阳能电池而言,具有所消耗硅材料少,成本低的特点,尤其是廉价衬底的引入,使硅基薄膜太阳能电池在成本控制方面具有更强的市场竞争力。非晶硅薄膜太阳能电池是目前光伏市场研究热点,多晶硅薄膜以其优异的光电性能和较低的制备成本在能源信息工业中,日益成为一种非常重要的电子材料,被广泛应用于大规模集成电路和半导体分立器件。高效、稳定、廉价的多晶硅薄膜太阳电池有可能替代非晶硅薄膜太阳电池成为新一代无污染民用太阳能电池。

采用等离子增强化学气相沉积（pecvd）技术,在普通硅衬底上以sih₄和b₂h₆为气源制备出均匀的硼掺杂p型非晶硅薄膜

2. 研究内容和预期目标

一、研究内容：

调研硅薄膜的具体应用和制备方法，并利用pecvd或离子束溅射制备硅薄膜，利用干法或湿法对制备的硅薄膜进行刻蚀，研究刻蚀条件的影响。

二、预期目标：

3. 研究的方法与步骤

一、研究方法：

本实验采用等离子增强化学气相沉积（pecvd）技术,在普通硅衬底上以sih₄和b₂h₆为气源制备出均匀的硼掺杂p型非晶硅薄膜，用rtp热处理炉进行退火，利用原子力显微镜，光学显微镜，电阻测试仪等设备对薄膜进行测试分析。再利用光刻机对薄膜进行光刻处理。

二、步骤：

4. 参考文献

1. 半导体物理学，刘恩科等．西安交通大学出版社，1998年10月第1版。

2．半导体制造技术， michaelquirk (作者), julian serda (作者), 海潮和 (合著者), 徐秋霞 (合著者), 等 (合著者), 韩郑生 (译者)电子工业出版社; 第1版 ，2009年。

3.王红娟， 张帅.多晶硅薄膜材料与器件研究进展[j].南阳师范学院学报，2009，8(3)：42-47

5. 计划与进度安排

1-2周 2022年2月20日-3月5日：查看毕业论文任务书，听老师介绍所选论文题目的状况和要求等。

2-3周 2022年2月27日-3月12日：完成开题报告，提交指导教师修改和审定。

4-13周 2022年3月13日-5月21日：按照开题报告要求进行实验和测试工作，按要求撰写毕业论文。