1. 研究目的与意义
目前，随着半导体和微电子行业的蓬勃发展，薄膜科技与技术越来越受到人们的关注。薄膜技术是半导体技术中十分重要的一部分，金属镍薄膜具有良好的导电性，耐腐蚀性好，可塑性好在微电子行业中有着十分广泛的应用。金属和半导体接触有着较大电阻，为了提高器件性能必须减小电阻，工业中常在重掺杂金半接触接触面形成金属半导体化合物减小电阻。本论文即研究半导体表面形成金属化合物的条件和结构性能测试。
2. 研究内容和预期目标
使用ckj-500d多靶磁控溅射设备制备ni薄膜研究不同气压对薄膜生长速率，表面形貌以及粗糙度，电学性质的影响。
对长有ni薄膜的样品进行退火处理，研究不同退火温度的影响，观察退火处理对样品表面形貌以及电学特性的改变，探索欧姆接触的形成条件。
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3. 研究的方法与步骤
使用ckj-500d多靶磁控溅射设备在n型重掺杂si基片上生长ni薄膜，使用dektakxt探针式表面轮廓仪测量不同条件下生长的ni薄膜厚度。
使用aj-Ⅲ型原子力显微镜观察不同条件下生长的ni薄膜的表面形貌以及退火处理后薄膜的表面形貌的改变。
使用lpcvd设备对不同生长条件的样品进行退火处理。
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4. 参考文献
1.杨邦朝.薄膜物理与技术，成都电子科技大学出版社， 1994： 4-5
2.张兴，黄如，刘晓彦.微电子学概论，北京大学出版社， 2010： 81-82
3.[美]施敏著，赵鹤鸣，钱敏，黄秋萍译.半导体器件物理与工艺，苏州大学出版社， 2002： 220-245
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5. 计划与进度安排
第七学期 2022.11.19 与学生见面，介绍毕业论文总体情况，布置查阅文献资料任务；1周 2022年2月22日-2月26日 下达毕业论文任务书，再次向学生讲授所选论文题目的状况和要求等；
2-3周 2022年2月29日-3月11日 学生完成开题报告，指导教师修改和审定学生论文开题报告；
4-15周 2022年3月14日-6月5日 按照开题报告要求进行实验和测试工作，按要求撰写毕业论文；
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