1. 研究目的与意义（文献综述）
21世纪我们迈入了信息化的时代。
若工业时代解放了大量双手，那么信息时代解放了我们更多人的大脑。
我们从重复繁重的工作中解放出来，机器代替我们进行简单的思考，判断，甚至在很多方面全面超越人脑，比如刚刚打败人类顶尖棋手的alphago。
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2. 研究的基本内容与方案
首先我们选取实验所用设备，实验中采用自组装的双槽电化学腐蚀装置，腔体是由耐酸碱腐蚀的特富龙材料聚四氟乙烯组成，腐蚀槽腔体与硅片之间用密封圈密封，通过螺丝紧固。腐蚀的电极由石墨烯组成。采用KL4514系列高温氧化炉形成厚度约为660nm的SiO2掩蔽膜，利用扫描电镜进行形貌分析，采用体视显微镜观察表面形貌，JT2型旋转式精华涂胶台进行涂胶，LKG-1型光刻机进行曝光，体式显微镜观察形貌，椭圆偏振仪测量掩膜层厚度，采用BN-303紫外负性光刻胶等，整个实验过程在1000级超净工作间中进行。
然后进行掩膜版设计和制作。我们选用AutoCAD制图软件设计版图。由于硅片表面受到严重的
玷污，所以接下来进行硅片的清洗，我们选用美国RCA实验室在1970年提出的浸泡式清洗工艺。清洗完成对硅片表面采用热生长法制备SiO2薄膜。经过清洗和氧化步骤，对取出的硅片通过接触式曝光机进行紫外曝光。光刻需要注意：1超净间的洁净度.2严格控制室内温度和湿度。通过匀胶、前烘，曝光、显影，坚膜，掩蔽膜的刻蚀完成光刻。光刻完的硅片装入双槽腐蚀装置中进行电化学腐蚀。在自制双槽电化学腐蚀系统中外加电磁铁，使磁场方向与电流方向平行或者垂直，研究磁场对腐蚀形貌的影响，可以通过改变电流从而改变磁场强度来观察具体影响。3. 研究计划与安排
第1-4周：完成题目调研，查阅参考资料，完成开题报告。
第5-7周：学习湿化学腐蚀及光刻的相关知识，完成英文文献的翻译。
第8-13周：学习磁场辅助的基本原理。
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4. 参考文献（12篇以上）
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