单面碱刻蚀处理对聚酰亚胺薄膜的材料改性开题报告

 2021-08-14 17:54:44

1. 研究目的与意义(文献综述包含参考文献)

文献综述

为了实现21世纪的纳米元件,现行的金属布线工艺的问题已成为线路微细化的障碍。在21世纪电子部品的开发中,基板材料与线路形成材料的表面,界面的控制是非常重要的。近年来纳米构造材料之一的金属纳米粒子的新开发,在线路形成和金属、半导体,有机发光体与绝缘体接合方面的应用引起人们的关注,21世纪电子、光学器件的制造以及它们的集成、封装系统的构筑都是当务之急。

聚酰亚胺具有较高的热稳定性、[1]化学稳定性、耐辐照、优良的机械性能以及绝缘性能等,广泛用于微电子、光电子、光学以及航空领域中(作为介电空间层、金属薄膜的保护覆盖层和基材。[2,3,4])。

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2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

本课题主要研究或解决的问题是以naoh刻蚀聚酰亚胺薄膜,同时以pvc保护pi的另一面,使其表面改性只发生在pi的单面上,并对其表面结构以及整体进行分析,从而得悉刻蚀对薄膜表面改性的具体信息等。

实验方法:

1.用pvc胶带将12.5um厚的pi薄膜部分保护起来,未被保护部分的线宽为1mm,同时将两端用凡士林封住。

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