缺陷对二维材料Fe3GeTe2电磁学性质的影响开题报告

 2021-10-24 15:50:21

1. 研究目的与意义(文献综述包含参考文献)

文 献 综 述1. 前言随着现代通信及计算技术的高速发展,人们对电磁学器件的要求越来越高。

而电磁学器件的发展很大程度上依赖于工艺与材料的突破,其中特别是对磁性薄膜材料的基础研究。

这些需求已经使自旋电子学领域有了革命性的进展。

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2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

1.本课题要研究或解决的问题fe3gete2(fgt)具有较接近室温的居里温度,它是六角晶体,其结构表现出显著的层状特性,具有夹在两层te原子之间的层状fe。

ge结构和相邻te层之间的范德华间隙。

另外它是在fegete系统中具有铁磁磁序罕见的例子。

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