GaN单晶衬底研磨装备与工艺开题报告

1. 研究目的与意义

1.1 研究背景

氮化镓专利数量趋势分析氮化镓专利申请已有50多年历史，最早是1963年由美国柯达公司申请的。遗憾的是，由于受到没有合适的单晶衬底材料、位错密度较大、n型本底浓度太高和无法实现p型掺杂等问题的困扰，氮化镓曾被认为是一种没有希望的材料，因而发展十分缓慢。直到1989年，松下电器公司东京研究所的赤崎勇和弟子天野浩在全球首次实现了蓝光led；1993年，日本日亚化学工业公司（nichia）的中村修二克服了两个重大材料制备工艺难题：高质量gan薄膜的生长和gan空穴导电的调控，独立研发出了大量生产gan晶体的技术，并成功制成了高亮度蓝色led。因此，20世纪90年代后，随着材料生长和器件工艺水平的不断发展和完善，gan基器件的发展十分迅速，专利数量快速增长，进入发展的黄金时期。2006年-2009年，氮化镓专利数量的增长较为缓慢，甚至出现专利量减少的情况（2009年），但2010年开始，专利数量又急剧增加，这种变化可能显示在该时间曾经出现了一个技术上的突破或者关键进展。由此来看，gan材料在未来几年内可能又会形成一次研究热潮。

2. 研究内容和预期目标

2.1研究内容

（1）了解氮化镓（gan）半导体材料

充分了解氮化镓（gan）研究背景、意义和研究现状。

3. 研究的方法与步骤

3.1研究方法

（1）查阅相关资料和文献，了解国内外关于半导体的发展现状，从中整理和总结出实现方法课题研究做好充分准备。

（2）通过学习氮化镓（gan）材料。

4. 参考文献

[1]李宝珠. 宽禁带半导体材料技术. 电子工业专用设备.2010.

[2]田媛.hvpe生长自支撑gan单晶及其性质研究.山东大学.2016.

[3]霍勤.利用多孔衬底hvpe生长gan单晶及其不同晶面性质的研究.山东大学.2018.

5. 计划与进度安排

1. 3.1--3.15 课题调研，了解相关技术和要求；
2. 3.16--3.29 查阅资料，撰写并提交开题报告；
3. 3.30--5.3 实验分析，数据整理，完成论文初稿；
4. 5.4--5.24 论文完善、修改；
5. 5.25--6.7 预答辩；
6. 6.8--6.10 完成答辩准备工作并进行论文答辩。