1. 研究目的与意义
1.1 研究背景
在20世纪初，铂电阻温度传感器问世。但是大多都是绕线式传感器，在很多领域的发展具有诸多的限制。薄膜温度传感器是建立在薄膜技术成熟的基础上而产生的。在20世纪50年代以后，薄膜技术得到快速的发展。直到20世纪90年代中期，薄膜技术的发展基本成熟，薄膜铂温度传感器应用而生。它的出现迅速的占领了一定的市场，直到现在一直保持着稳定的增长。我国从1974年引入薄膜技术并研究铂电阻温度传感器，已经有40多年历史。我国的铂传感器技术发展越来越好，但是还远远不够。随着科技的发展，许多器件的构造越来越倾向与集成化、小型化。所以研究膜厚越薄、体积越小的铂电阻是很重要的。在欧美许多国家都有突出的温度传感器件，例如cbt温度传感器（美国）、e e温度传感器（意大利）、smartec温度传感器（荷兰）、crz系列膜片铂热电阻芯片（日本）。
1.2 研究目的
2. 研究内容和预期目标
2.1研究内容
（1）pt100、pt200电阻版图设计
pt100是指当电阻温度为0℃是电阻阻值为100Ω，在100℃是阻值为138.5Ω。pt200是指当电阻温度为0℃是电阻阻值为200Ω，在100℃是阻值为238.5Ω。通过电阻的计算公式，若要得出阻值为100Ω和200Ω的电阻，需要设定合适的长宽比的电阻（pt100长宽比为200，pt200长宽比为400）。为了确定参数厚度固定为200nm。
3. 研究的方法与步骤
3.1研究方法
（1）查阅相关资料和文献，了解国内外铂温度传感器的发展现状，从中整理和总结出实现方法课题研究做好充分准备。
（2）学习l-edit软件，熟练掌握光刻版图的设计。熟悉各个纳米加工设备、测试设备，例如光刻机、扫描电子显微镜、四探针测试仪、快速退火炉、高流高压探针测试系统、能量色散x射线测试仪、xrd测试仪、超声波清洗器、匀胶机等等，针对设计设计出合适的工艺流程单。工艺流程单包括使用何种设备、何种参数等。
4. 参考文献
[1]胡晓勇.高速动车组轴温测量用自更新薄膜温度传感器的研制[d].大连：大连交通大学，2008.
[2]樊鑫瑞,佩庆安,王新桥.精密箔式铂电阻表面温度传感器[j].华中工学院学报,1987,15(4):178-180.
[3]谭贵权,谭文佳.薄膜铂热电阻元件的应用及发展[j].世界仪表与自动化,2008(04):29-31.
5. 计划与进度安排
3.1--3.15 课题调研，了解相关技术和要求；
3.16--3.29 查阅资料，撰写并提交开题报告；
3.30--5.3 实验分析，数据整理，完成论文初稿；
