新型存储器单元3维瞬态RESET过程仿真开题报告

1. 研究目的与意义

在当代社会，存储器产品作为各类电子产品的基础部分，其市场重要性不容忽视。

而目前被广泛应用的存储技术诸如以sram为主的固态存储技术、以cd为主的光学存储技术和以硬盘为主的机械存储技术等，随着电子技术的不断发展，正在面临着各自不同的挑战。

因此，在这种背景下，业界普遍加大了对新型存储技术的研发力量。

2. 研究内容和预期目标

相变存储器是利用脉冲电流的热效应使其记录层发生具有巨大阻值差异的可逆结构相变来记录和擦除数据。

本设计旨在研究如何优化相变存储器的存储单元结构，验证罗恩尼尔对相变存储器的数据计算是否属实。

利用comsol软件进行仿真。

3. 研究的方法与步骤

一是完成相变存储器reset瞬态过程中电学、热学的仿真，以及与宏观电流、电压的关系。

从理论上给出相变存储器单元电学行为的描述，加深对相变存储器的理解。

二是完成相变存储器仿真与实验过程的对比与矫正。

4. 参考文献

[1]刘燕《基于二极管选通相变存储阵列的器件建模与优化》 2013.5 [2]龚岳峰《相变存储器器件单元数值模型与模拟研究》 2010.5[3]富聪《相变存储器芯片设计》 2012.5[4]宏潇《高速相变存储器芯片设计》 2013.5

5. 计划与进度安排

1、2022.4.1-2022．4.10查阅课题相关资料，熟悉课题，明确目标，安排进度，撰写开题报告。

2、2022.4.11-2022.4.20通过练习熟悉仿真软件的使用。

3、2022.4.21-2022.5.1总体设计，完成相变存储器的电热模型。