1. 研究目的与意义
研究的背景:
随着mems器件或系统的设计和制作技术的发展，相对落后的封装技术已成为制约mems产品顺利进入市场的瓶颈。目前,大量的mems器件仍然停留在实验室阶段,没能形成产品在军事和民用领域中充分发挥其功用,主要原因是mems器件的封装问题没能得到很好的解决。包括组装和测试在内的封装实质上是影响mems产品总生产成本的主要因素,封装成本太高限制了部分产品在市场上的竞争力。因此,找出封装难度过大、封装成本过高的原因,采用相应措施来推动mems的发展,已成为很多研发人员把封装视为成功商业化的惟一最亟待解决的关键问题。
研究的目的及意义:
硅通孔技术（tsv，through-silicon-via）是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通，实现芯片之间互连的最新技术。tsv封装是mems技术开发及批量生产的关键技术之一，也是mems产品从研究走向应用的关键一步。与以往的ic封装键合和使用凸点的叠加技术不同，tsv能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大，外形尺寸最小，并且大大改善芯片速度和低功耗的性能,降低开发成本，提供高性能的高密度封装技术。微孔电镀技术提高了载板的密度和运行频率，使信号延迟最小化,避免了电磁干扰；得到了光滑电镀表面,避免了表面凹陷；使得更多输入输出脚的封装载板得以应用；避免了采用树脂、导电胶填孔造成的凹陷缺陷。
2. 研究内容和预期目标
主要研究内容： 随着MEMS器件或系统的设计和制作技术的发展，相对落后的封装技术已成为制约MEMS产品顺利进入市场的瓶颈。TSV封装是MEMS技术开发及批量生产的关键技术之一，也是MEMS产品从研究走向应用的关键一步。本课题旨在通过微孔电镀技术制作出高质量的TSV铜柱。 1)了解TSV技术的特点； 2)了解铜电镀的基本原理； 3)利用电镀技术制备出高质量的TSV铜柱。 预期目标： 随着电子产品向便携式、小型化、网络化和多媒体化方向发展,这种市场需求对电路组装技术提出了相应的要求:单位体积信息的提高高密度化;单位时间处理速度的提高高速化。本课题通过对TSV的关键技术进行研究，改善TSV制备过程中的刻蚀、电镀等工艺，使TSV能够让芯片之间的互连线最短、芯片在三维方向堆叠的密度最大、外形尺寸最小，大大改善低功耗的性能和芯片的运行速度，减少制作成本，制备出高质量的TSV铜柱。 1)TSV制作工艺流程图； 2)硅基TSV通孔制备； 3)TSV铜柱制备成品； |
3. 研究的方法与步骤
研究方法：
查阅课题相关的资料，对资料进行整理和研究。通过实验的方法，采用bosch工艺制备v型tsv盲孔；重复氧化腐蚀削弱tsv盲孔底部的长草现象。
研究步骤：
4. 参考文献
[1]童志义.3DIC集成与硅通孔（TSV）互连[J].电子工业专用设备，2009,170（3）：27-34. [2]赵璋，童志义.3D-TSV技术延续摩尔定律的有效通途[J].电子工业专用设备，2011,194：27-34. [3]陈海英.芯片级三维集成前景光明[J].混合微电子技术，2010,7（2-3）：111-115. [4]封国强，蔡坚，王水弟.硅通孔互连技术的开发与应用[J].中国集成电路，2007,3：5. [5]詹印丰，颜锡鸿，许明哲.TSV制程技术整合分析[J].半导体科技，2010,5 |
5. 计划与进度安排
[1]3.023.15课题调研，了解相关技术和要求；
[2]3.163.29查阅资料，撰写并提交开题报告；
[3]3.305.24完成论文初稿；
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