1. 研究目的与意义
1、背景：磁性薄膜目前广泛应运用电子信息元器件的制作之中，是电子信息材料领域研究的热点之一，也是功能材料从三维向低维材料发转的必然趋势。近年来，随着电子元器件的微型化、薄膜化、高频化、集成化等方向的发展，对薄膜的高磁导率提出了更高的要求。铁氧体材料虽然有较高的电阻率，但受到斯诺克（Snoek）公式的限制，其截止频率通常小于1 GHz，在GHz频率范围内的磁导率实部值通常都低于10，其本质原因在于微波场驱动下磁化进动过程中薄膜各向异性场有待提高。同时，铁氧体薄膜制备通常需要较高的温度，这给薄膜的实际制备和应用带来了很大的不变。当下，以Fe基、Co基为主体的铁磁非晶膜受到越来越多人的关注，FeCo薄膜具备高饱和磁化强度、适中的各向异性场、较高的电阻率，是应用在高频领域中的理想材料。磁导率作为表征磁性材料优劣的重要指标之一，是研究人员研究的热点。
2、目的：偏置磁场技术以提高薄膜的各向异性场，达到了提高铁磁薄膜Snoek乘积的效果，进而提高FeCo薄膜的铁磁性能，优化应用范围。
3、意义：研究偏置磁场对FeCo铁磁薄膜磁导率影响，实现高磁导率和高共振频率的特性，使其产品广泛地应用在高频产品成为可能。2. 研究内容和预期目标
研究内容:
（1）通过本科所学知识及查阅文献资料，全面地了解偏置磁场对铁磁薄膜沉积过程的影响。
（2）研究在偏置磁场作用下，射频磁控溅射沉积方法制备的feco薄膜的物理性质的影响。
3. 研究的方法与步骤
研究方法：
（1）用单面抛光，厚度为500m的si作为实验基片，面积为5mm*10mm,在si基片表面沉积50nmfeco薄膜。
（2）通过探针式表面轮廓仪，射频网络分析仪等表征手段测量薄膜的一系列性能，包括薄膜厚度、电阻率、磁导率。
4. 参考文献
[1] j. andersson and a. anders, self-sputtering far above the runaway threshold[j]: an extraordinary metal-ion generator, phys. rev. lett. 2009, 102: 045003.
[2] j. t. gudmundsson, n. brenning, d. lundin, and u. helmersson, high power impulse magnetron sputtering discharge,journal[j]of vacuum science and technology a 2012, 30: 030801.
[3] a. anders, j. andersson, and a. ehiasarian, high power impulse magnetron sputtering[j]: current-voltage-time characteristics indicate the onset of sustained self-sputtering journal of applied physics 2007,102: 113303.
5. 计划与进度安排
1. 2022年2月25日-3月3日，毕业论文工作动员，组织指导老师和青年教师进行交流、培训。
2. 2022年2月25日-3月3日，指导教师完成在系统中毕业论文任务书的下发，系主任审核任务书。指导教师向学生讲授所选论题的状况和要求。
3. 2022年2月25日-3月10日，学生提交开题报告等材料（开题报告、外文翻译等），指导教师审核开题报告等材料。
