1. 研究目的与意义
背景：
氮化硼（bn）是具有帯隙的二维半导体，因其特殊的六方晶系结晶结构，而具有优异的物理和化学性质。bn材料具有与石墨烯相当的强度、较宽的带隙、优良的化学稳定性、热稳定性和良好的电学特性、光学特性。h-bn 薄膜作为一种光电功能材料被用于紫外空间光调制器领域和体声波与表面声波器件材料。
二维h-bn 具有较好的光电特性，与其他二维材料结合可形成理想的异质结应用于光电器件中，如晶体管、紫外探测器、太阳能电池、光催 化 剂 等，以 及 其 他 各 领 域 的 光 电 子 器件。目前，这些应用领域的研究才刚刚起步，而其他领域的应用更 少，因 此 需 要 进 一 步 拓 宽h-bn 的 应用领域，扩大应用范围。
2. 研究内容和预期目标
研究内容：
通过查阅文献资料，全面地了解氮化硼薄膜的制备方法和光电特性。本文将采用化学气相沉积方法，以氮化硼为原料，在si衬底上制备bn薄膜，深入探究生长温度、气体流量、掺杂浓度等对bn薄膜的影响规律，制备bn超薄膜，并探究bn薄膜中电子的输运特性。
预期目标：通过对氮化硼薄膜电性的测试，得到不同条件下制备出的氮化硼薄膜电性参数,并整理出一般性规律。
3. 研究的方法与步骤
研究方法：
（1） 采用化学气相沉积方法，以氮化硼为原料，在si衬底上制备bn薄膜。
（2） 测试生长温度、气体流量、掺杂浓度等对bn薄膜电子输运特性的影响。
4. 参考文献
[1] 田凌.半导体氮化硼薄膜的制备及其异质结特性研究[d].甘肃：兰州大学，2006:1-49.
[2] 姜洪舟. 无机非金属材料热工设备[m]. 武汉：武汉理工大学出版社, 2012,12(11):529.
[3] inseok jang, kyung-ho shin, il yang, hyeon kim, juseong kim, wan-ho kim, sie-wook jeon, jae-pil kim. enhancement of thermal conductivity of bn/epoxy composite through surface modification with silane coupling agents[j].elsevier, 2017:64-72.
5. 计划与进度安排
1. 第七学期4-8周: 对本学院教师提出命题要求，布置任务，教师命题。
2.9-11周：指导教师填写毕业论文题目申报表，经系部和学院审核, 教学院长完成课题的发布
3. 13-16周: 学生网上选题，视学生选题情况作适当调整。选题结束，指导老师向学生下达任务，学生根据要求收集资料。
