锰元素对钛酸锶钡薄膜漏导电输运特性的影响开题报告

1. 研究目的与意义

钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO3,BST)薄膜具有优良的铁电、介电性能,在可调谐微波器件、动态随机存储器、红外探测器阵列等方面具有良好的应用前景，通过掺杂微量元素以减少钛酸锶钡薄膜的漏电流是这种材料商业应用的关键。Pt / BST / Pt电容器的漏电流特性已经受到了广泛的研究，对于漏电流机制也有很多相应的研究成果，掺杂微量元素对于钛酸锶钡薄膜材料的电性能有较大影响。因此在课题中我们研究了锰元素对钛酸锶钡薄膜漏导电输运特性的影响，对漏电流的机制进行了讨论和研究，通过减少钛酸锶钡薄膜的漏电流来实现其生产及商业应用。

2. 研究内容和预期目标

钛酸锶钡具有钙钛矿结构的晶体，同时具有高介电常数、低损耗等特点，是一种重要的铁电材料。本论文采用阻抗分析法，研究钛酸锶钡电容器的介电特性的测试原理，进而对氧化物电容器的设计和改进提供有益参考。研究了锰元素对钛酸锶钡薄膜漏导电输运特性的影响，并讨论不同浓度下钛酸锶钡薄膜的漏导电输运特性。预期目标是通过掺杂锰元素减少钛酸锶钡薄膜的漏电流，提升BST薄膜材料性能。

3. 研究的方法与步骤

1.固相反应法制备陶瓷靶材

2.激光脉冲沉积法制备钛酸锶钡（bst）薄膜

3.测量mn掺杂对钛酸锶钡薄膜漏导电输运特性的影响

4. 参考文献

1. h. n. lee, s. m. nakhmanson, m. f. chisholm, h. m. christen, k. m. rabe, d. vanderbilt, physics. review letters2007 98：229901.

2. j. qiu, g. z. liu, j. sakai, f. gervais, j. wolfman, dielectric tunability transition in ba_0.6sr_0.4tio₃-based capacitors[j]. journal of applied physics. 2011, 110(6): 064114.

3．符春林，杨传仁，陈宏伟，胡文成，李文远，钛酸锶钡（bst）薄膜的制备与应用研究进展[j]. 电子元件与材料，2003 22 (5):47-50。

5. 计划与进度安排

2022年2月20日-3月5日 下发毕业论文任务书

2022年3月13日-5月21日 学生按开题报告撰写论文。学生按开题报告撰写论文。

2022年4月17日-4月30日 中期检查