1. 研究目的与意义
背景：离子束溅射是在磁控溅射技术之后发展起来的一项溅射技术。
它的优点是溅射过程离子能量和入射角度都可以调节和控制，并且基片不受离子从靶面反射而引起的辐射损伤。
利用高能离子流溅射出的原子或原子团能量高，有利于均匀薄膜结构的生成；离子源可控性强，因此用离子束溅射制备薄膜致密、均匀，具有良好附着性、低的散射、良好稳定性和重复性。
2. 研究内容和预期目标
研究内容：本毕业设计进行实验的的位置是光电器件与镀膜实验室，所用的实验仪器有：LJ500型离子束溅射镀膜设备、TPY-2型自动椭圆偏振测厚仪、AT-III型原子力显微镜CMM-40E型金相显微镜、6517B型KEITHELY微电流计。
任务要求：了解离子束溅射原理，离子束溅射生长Sn薄膜的生长机理。掌握影响Sn薄膜的生长厚度、生长的薄膜致密性，和电性能的参数。熟悉离子束溅射相关仪器；能够熟练掌握离子束溅射镀膜机操作规程，并且能够实际操作仪器。够掌握椭圆偏振仪测薄膜复折射率的方法原理；熟练操作原子力显微镜测试膜的表面形貌；熟悉Origin或Matlab分析实验数据等。培养综合运用专业及基础知识，解决实际工程技术问题的能力。具有工作过程的评价能力。
3. 研究的方法与步骤
研究方法：
首先实验采用离子束溅射镀膜仪控制不同离子束流能量，屏极电压，温度，在硅片表面制备8-10组sn薄膜并进行厚度、粗糙度、颗粒大小、复折射率测量。将试验数据用图表，计算等方法找到离子束流能量，温度，离子束流与薄膜性能之间的关系。
实验步骤：
4. 参考文献
[1]吴自勤，王兵著.薄膜生长[m].科学出版社.2001
[2]大舟，离子束溅射镀膜技术[j]，光机电信息，1995,(6):41
[3]曾莹莹，艾永平. ar 及沉积气压对离子溅射制备铜钨复合膜结构的影响[j]. 兵器材料科学与工程, 2010, 33(4):76-78
5. 计划与进度安排
1、第七学期4-11周对本学院教师提出命题要求，布置任务，教师命题
2、第七学期12-13周指导教师填写毕业论文题目申报表，经系部和学院审核，然后进入教务系统进行毕业论文题目申报
3、第七学期14-18周学生网上选题，视学生选题情况作适当调整。选题结束，指导老师向学生下达任务，学生根据要求收集资料
