钼基片上制备Al/Ti/Ag多层膜及相关物性研究开题报告

1. 研究目的与意义

辉钼是未来取代硅基芯片强力竞争者。

单层的辉钼材料显示出良好的半导体特性，有些性能超过现在广泛使用的硅和研究热门石墨烯，可望成为下一代半导体材料。

钼在igbt、薄膜太阳能及其他镀膜行业中，作为不同膜面的衬底也被广泛的应用。

2. 研究内容和预期目标

阅读3到5篇相关文献，制备系列的钼基片上Al/Ti/Ag多层膜并表征其界面微结构和界面互扩散特征，结合实验数据完成相关模型设计和理论拟合工作，给出具有一定指导意义的结果及可能应用前景。

3. 研究的方法与步骤

通过MS-PVD薄膜沉积技术，分析不同组分薄膜材料的晶格特征，设计合理的薄膜沉积工艺，通过SEM电镜表征界面结构，砝码法测量膜层与基底的结合力，I-V特性测量接触面的相关电学性质，给出相关的唯像模型拟合测试结果。

从结果分析材料的应用前景

4. 参考文献

1、y. mishin ,*, m. asta , ju li，acta materialia 58 (2010) 1117–1151；

2、takao araki1, takanori hino2 and masahiro ohara，materials science and engineering 61 (2014) 012026；

3、haeni j h et al 2004 nature 430 758；

5. 计划与进度安排

1、2022年3月1日-3月20日,提交开题报告等材料（开题报告、外文翻译等），

2、2022年3月14日-5月20日,按开题报告撰写论文;

3、2022年4月18日-4月29日,中期检查，汇报课题进展情况，回答教师提问；