1. 研究目的与意义
钛酸锶钡材料具有高介电系数,低漏电流满足未来电容器的需求。对于其工艺研究已开展的非常广泛。拥有高介电系数的电容器很适合作为芯片上的集成电容。
钛酸锶钡良好的铁电性质以及高介电性在被发现后很快就被用来做电容器材料,现在的高频电路元件的BST电容器已经进行大批量生产。随着科技的发展,电子器件的尺寸不断的缩小,高介电常数的BST薄膜在微电子器件中起到重要的作用,其在动态随机储存器上就有很好的运用。BST因为其具有氧八面体结构所以其具有代表性的铁电现状。因为它的晶格结构比较简单,铁电性质又具有代表性,所以人们将其作为典型的铁电体材料在近些年来进行了大量的研究。
2. 研究内容和预期目标
钛酸锶钡(BST)具有钙钛矿结构的晶体,同时具有高介电常数、低损耗等特点,是一种重要的铁电材料。BST薄膜的研究热潮起源于铁电存储器件、微波可调器件等的研究。BST薄膜的特性随钡锶成分比的改变而有差异,本论主要研究BST薄膜的微观结构和介电特性。通过X衍射法观察不同成分的BST薄膜的微观结构的差异和钡锶在不同成分下的介电性能以及铁电性的影响。
3. 研究的方法与步骤
本文主要采用激光沉积的方法制备钛酸锶钡BST薄膜。
1.利用常规的烧结方法制备BST靶材
2.利用准分子激光器在衬底上沉积BST薄膜。
4. 参考文献
1.P.Bao,T.J.Jackson,X.Wang,M.J.Lancaster,Bariumstrontiumtitanatethinfilmvarctorsforrootemperaturemicrowavedeviceapplications[J].JournalofPhysicsD:AppliedPhysics.2008,41(6):063001. 2.J.Qiu,G.Z.Liu,J.Sakai,F.Gervais,J.Wolfman,DielectrictunabilitytransitioninBa0.6Sr0.4TiO3-basedcapacitors[J].JournalofAppliedPhysics.2011,110(6):064114. 3.符春林,杨传仁,陈宏伟,胡文成,李文远,钛酸锶钡(BST)薄膜的制备与应用研究进展[J].电子元件与材料,200322(5):47-50. 4.钛酸锶钡薄膜掺杂改性研究进展[J].方瑜,肖定全,刘娟妮,朱建国,材料导报.200512(19):106-109. 5.王思宁,王晓丽,徐德龙,工艺参数对钛酸锶钡陶瓷的性能和结构的影响[J].材料研究通报,200843:1989-1995 6.李桂英,余萍,莫言,周媛媛,钛酸锶钡薄膜掺杂改性研究进展[J].化学研究与应用.201315(6):818-820. 7.张绪礼,电介质物理与微波介质陶瓷[J],压电与声光,199719(5):315-320
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5. 计划与进度安排
1—2周2016年3月2日-3月13日指导教师向学生讲授所选论题的状况和要求等,下达毕业论文任务书。
2—3周2016年3月9日-3月20日指导教师修改和审定学生论文开题报告,学生完成开题报告。
4—13周2016年3月23日-5月29日学生按开题报告撰写论文。
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