1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）
1．赝电容简介赝电容：也称法拉第准电容，是在电极表面或体相中的二维或准二维空间上，电活性物质进行欠电位沉积，发生高度可逆的化学吸附，脱附或氧化，还原反应，产生和电极充电电位有关的电容。
赝电容不仅在电极表面，而且可在整个电极内部产生，因而可获得比双电层电容更高的电容量和能量密度。
在相同电极面积的情况下，赝电容可以是双电层电容量的10～100倍。
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2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案
一.本文研究对象本文主要针对赝电容对称电容器对恒定负载放电过程中影响功率输出因素的分析与对策，包括放电过程中超级电容器正负极和负载上功率与时间关系的确定。
同时，也对制备ruo2//ruo2超级电容器的途径进行了相关研究，提出用电化学电镀用于制备ruo2电极，通过连续分段循环伏安法（cv）来构造两电极和三电极系统中比电容的电位依赖性。
为了优化两个电极上的质量分配，制备了具有不同质量比的ruo2// ruo2的对称sc，调节sc中电极的质量比，可以明显地扩大工作电压窗口。
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