输入阻抗对磁电复合材料正逆磁电效应频率响应特性影响的研究开题报告

 2021-10-26 09:10

1. 研究目的与意义(文献综述包含参考文献)

1.磁电效应的概念磁电(me)效应是指磁电材料可实现的磁能与电能之间的转化,是一种典型的耦合效应[1]。

磁电效应的特征是材料对外加磁场h的极化响应p,反之,逆磁电(cme)效应是指材料对外加电场e的磁化响应m[2]。

为了表示磁电效应的转换效率,引入三个系数: = dp/dh,其中h为外加磁场强度,p电极化强度; = de/dh,其中e为电场强度; = dv/dh,其中v为材料两端的电势差。

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2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

1.研究问题本文将制备pzt/terfenol-d层压磁电复合材料,并分别在不同的偏置磁场下测量它们在开路和短路输入阻抗的电学边界条件下磁电系数的频率响应特性。

重点关注在这两种不同条件下正逆磁电效应谐振频率的差异,并理论解释之。

该研究对于进一步理解正逆磁电效应的耦合机制具有重要的意义。

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