制备工艺条件对ln掺杂CdO基透明导电薄膜性能的影响任务书

1. 毕业设计（论文）的内容和要求

通过研究，掌握用磁控溅射法和脉冲激光沉积技术制备In掺杂CdO基透明导体薄膜时不同的工艺条件:如温度、氧气流量、In含量等对薄膜的结构以及光电性能的影响，以制备出性能最佳的CdO薄膜。

2. 实验内容和要求

1、计划进行的工作：搜集资料、研读学术论文、做实验等；2、对各项工作的要求： （1）在搜集资料方面，尽可能多的搜集一些与In-CdO有关的学术论文，然后做总结概括； （2）做实验时，改变制备的工艺条件，得出不同参数下薄膜的综合性能，并制作图象表格进行比较分析。

3. 参考文献

1、孙潇女. 脉冲激光沉积法制备铟掺杂氧化镉薄膜及其光电性能研究[D]. 吉林大学, 2010.2、杨冬梅. 钛酸铋低维材料的制备及性能研究[D]. 山东大学, 2007.3、张伟 张仕国. AlN薄膜的研究进展[D]. 浙江大学 浙江大学, 1996.4、张品. 磁控溅射法沉积透明导电CdO薄膜的性能优化[D]. 浙江大学, 2007.5、曹守娟. 双靶直流反应磁控共溅射沉积TiAlN薄膜及其性能研究[D]. 东北大学, 2009.6、李珂. 磁控溅射制备SnO_2F薄膜及其透明导电性能研究[D]. 武汉科技大学, 2014.7、潘露璐. 氧化镉基纳米结构薄膜的制备及应用性能研究[D]. 吉林大学, 2014.

4. 毕业设计（论文）计划

1、资料搜集：2022年12月21日--2022年2月25日；2、写作初稿：2022年2月26日--2022年4月10日；3、修改提高：2022年4月11日--2022年5月4日；4、打印上交：2022年5月5日--2022年5月10日。