SiC表面氧气吸附的第一性原理研究任务书

1. 毕业设计（论文）的内容和要求

1. 了解SiC材料的研究概况，学习计算程序的使用；2. 了解密度泛函理论，掌握材料结构与物性计算的基本方法；3. 通过对SiC表面氧气吸附的研究，认识吸附效果，理解其中的物理机制。

2. 实验内容和要求

内容： 1、阅读相关文献，学习计算程序；2、SiC表面氧气吸附的结构建模，相关物理性质计算。

要求：提交一篇论文。

3. 参考文献

[1] CASADY J B, JOHNSON R W. Status of Silicon Carbide (SiC): A Wide Band-Gap Semiconductor For High-Temperature Applications: A Review [J]. Solid-State Electron., 1996, 39: 1409-1422.

[2] 郝跃, 彭军, 杨银堂. 碳化硅宽带隙半导体技术 [M]. 北京: 科学出版社, 2002: 1-14.

4. 毕业设计（论文）计划

2022.11.27填写毕业论文选题报表；2022.1.6填写毕业论文任务书及进程安排表；2022.1.112022.4.12搜集资料及相关文献，学习程序，进行相关计算，撰写论文初稿；2022.4.132022.4.17中期检查，请指导教师审阅初稿，；2022.4.182022.5.7修改完善，定稿，装订成册，资料归档，准备答辩；2022.5.82022.5.21参加论文答辩。