引言：随着科技的进步，人们生活水平的提高，用户对电子产品的便携化要求越来越严格，电子产品性能的发展常常受到其体积的限制。传统意义上的块状半导体已经逐渐被二维电子材料所取代。二维材料相比于块状材料，具有体积上的优越性，符合当前电子产品发展的需要，但同时也因其厚度太薄，无法满足对光的充分吸收利用。为此人们展开了对增强二维材料光物作用的探索。石墨烯具有较高的电子迁移率，但由于其零带隙的结构，无法对其性能进行便捷有效的控制。研究者们希望找到一种，具有带隙且较好光电特性的二维材料。
过渡金属硫化物如：二硫化钼、二硫化钨、二硒化钨、二硒化钼构成的二维材料，具有优异的光学与电学性能，其可调的光子带隙结构，已经成为纳米光电子材料器件研究领域的研究热点之一,单层过渡金属硫化物具有直接带隙，其在可见光波段，自由空间单层二硫化钼的吸收为10-20%。作为二维材料，单层二硫化钼的吸收率较高，虽然还不能满足应用的需要，但是可见其具有较大的上升应用空间。本课题提出将单层二硫化钼与局域间隙等离子体耦合的方案，用FDTD建模，并分析其辐射特性，验证在该条件下，二硫化钼对光的吸收特性是否增强，进而为基于二硫化钼的光电器件的优化设计提供参考。
国内外研究现状：
2010年，Tony F. Heinz和 Feng Wang【1】等人率先从实验中制备出单层二硫化钼结构
2011年，B.Radisavljevic【2】课题组提出基于二硫化钼场效应晶体管
2013年，Leaadro M.Malard【3】等人利用二硫化钼观察到的二次谐波的产生
2014年，Tony F.Heinz【4】等人率先从实验中测量出过渡金属硫化物体系中的光学介电常数
2016年，Huang Lujun【5】等人利用二硫化钼实现了宽谱吸收器
2017年，Lu Hua 【7】等人提出布拉格反射镜和金属衬底，将二硫化钼放于金属上方介质层中的结构，利用在金属-介质表面形成的塔姆态实现了二维材料二硫化钼中的全吸收
2017年，Long Linshaung【8】等人通过一维银金属光栅和单层二硫化钼结构，利用磁共振单元使二硫化钼在可见光波段的吸收高达90%。
