电极电阻对测量钛酸锶钡薄膜介电特性的影响开题报告

 2022-03-07 22:14:10

1. 研究目的与意义

经过对铁电材料多年的研究,人类掌握了铁电材料的各种性质,例如高介电常数,低介电损耗,铁电滞后,压电效应,电光效应等,铁电材料的多种性质使它们成为许多电子器件例如非易失性存储器,电容器,致动器光开关等的良好候选。作为典型的铁电体之一,Ba x Sr 1-x TiO 3(BST)薄膜已经受到极大的关注,因为它们在电介质可调器件中的潜在应用。结合其他金属电极,BST薄膜用于构造金属/绝缘体/金属(MIM)电容器,其基于电接触相关的介电常数操作。一些钙钛矿型金属氧化物如SrRuO 3和La 0:7 Sr 0:3 MnO 3作为MIM结构中的电极材料,因为它们具有优异的导电性和与大多数铁电材料良好的晶格匹配。 已经认识到,金属氧化物电极明显地基于BST的电容器的泄漏电流和介电损耗。本课题材料的研究有助于减少电介质材料的功耗。

2. 研究内容和预期目标

主要内容:通过combldd技术在lsno / sto层上制备具有各种ba / sr比的bst薄膜,并在40hz和2mhz之间的频率下研究au / bst / lsno电容器的介电特性。 au / bst / lsno电容器在低频(?10hz)表现出固有的介电性能。

目的:bst电容的测量电容对频率的依赖性不仅受到mim电容器的固有电容值,而且影响串联氧化物电极的电阻。 对于具有高于1nf的电容的电容器,高串联电阻(≥1000Ω)将导致低转变频率,并因此导致高频下的非本征电介质行为。

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3. 研究的方法与步骤

研究方法:通过combldd技术在lsno / sto层上制备具有各种ba / sr比的bst薄膜,并在40hz和2mhz之间的频率下研究au / bst / lsno电容器的介电特性。

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4. 参考文献

1. E. Bousquet, M. Dawber, N. Stucki, C. Lichtensteiger,P. Hermet, S. Gariglio, J. M. Triscone and P.Ghosez,Nature 452 (2008) 732.2. N. Balke, I. Bdikin, S. V. Kalinin and A. L. Kholkin,J. Amer. Ceram. Soc. 92 (2009) 1629.3. K. J. Jin, H. B. Lu, K. Zhao, C. Ge, M. He and G. Z.Yang, Adv. Mater. 21 (2009) 4636.4. M. Dawber, K. M. Rabe and J. F. Scott, Rev. Mod.Phys. 77 (2005) 1083.5. J. F. Scott and F. James, MRS Bull. 35 (2010) 227.6. X. H. Zhu, J. M. Zhu, S. H. Zhou, Z. G. Liu, N. B.Ming, S. G. Lu, H. Chan and C. L. Choy, J. Electron.Mater. 32 (2003) 1125.7. P. Bao, T. J. Jackson, X. Wang and M. J. Lancaster,J. Phys. D, Appl. Phys. 41 (2008) 063001.8. A. K. Tagantsev, V. O. Sherman, K. F. Astaˉev,J. Venkatesh and N. Setter, J. Electroceram. 11(2003) 5.9. X. H. Zhu, B. Guigues, E. Defa?, C. Duarry andM. A?d, J. Appl. Phys. 106 (2009) 024109.10. C. Wang, B. L. Cheng, S. Y. Wang, H. B. Lu, Y. L.Zhou, Z. H. Chen and G. Z. Yang, Appl. Phys. Lett. 84(2004) 765.11. C. Ang, A. S. Bhalla and L. E. Cross, Phys. Rev. B 64(2001) 184104.12. G. Z. Liu, J. Wolfman, C. A. Lambert, J. Sakai,S. Roger, M. Gervais and F. Gervais, J. Appl. Phys.108 (2010) 114108.13. R. Plonka, R. Dittmann, N. A. Pertsev, E. Vasco andR. Waser, Appl. Phys. Lett. 86 (2005) 202908.14. S. Ito, T. Yamada, K. Takahashi, S. Okamoto,T. Kamo, H. Funakubo, I. Koutsaro, M. Zelner andA. Cervin-Lawry, J. Appl. Phys. 105 (2009) 061606.15. J. Qiu, G. Z. Liu, J. Sakai, F. Gervais and J. Wolfman,J. Appl. Lett. 110 (2011) 064114.16. Y. C. Liang, Y. C. Liang and J. P. Chu, Electrochem.Solid-State Lett. 11 (2008) G41.17. J. Qiu, G. Z. Liu, J. Wolfman, C. Autret-Lambert,S. Roger and J. Gao, Ceram. Int. 42 (2016) 6408.18. Y. Gim, T. Hudson, Y. Fan, C. Kwon, A. T. Findikoglu, B. J. Gibbons, B. H. Park and Q. X. Jia, Appl.Phys. Lett. 77 (2000) 1200.19. X. Y. Zhang, P. Wang, S. Sheng, F. Xu and C. K. Ong,J. Appl. Phys. 104 (2008) 124110.20. S. Ezhilvalavan and T. Y. Tseng, Mater. Chem. Phys.65 (2000) 227.21. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley,New York, 1981).

22. J. E. Diosa, R. A. Vargas, I. Albinsson and B. E.Mellander, Solid State Commun. 136 (2005) 601.

23. M. Asghar, K. Mahmood, F. Malik and M. A. Hasan,J. Phys., Conf. Ser. 439 (2013) 012031.24. P.Lunkenheimer,V.Bobnar,A.V.Pronin,A.I.Ritus,A.A. Volkov and A. Loidl, Phys. Rev. B 66 (2002) 052105.25. W. Y. Fu, H. Wang, L. Z. Cao and Y. L. Zhou, Appl.Phys. Lett. 92 (2008) 182910.26. S. N. Song, J. W. Zhai and X. Yao, Ferroelectrics357 (2007) 103.27. L. N. Gao, S. N. Song, J. W. Zhai, X. Yao and Z. K.Xu, J. Cryst. Growth 310 (2008) 1245.

5. 计划与进度安排

第一周:毕业论文工作动员,组织指导老师和青年教师进行交流、培训。

第一-二周:指导教师完成在系统中毕业论文任务书的下发,系主任审核任务书。指导教师向学生讲授所选论题的状况和要求等。

第二-三周:学生提交开题报告等材料(开题报告、外文翻译等),指导教师审核开题报告等材料

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