等离子体处理对单层二硫化钼荧光的调制开题报告

1. 研究目的与意义

研究背景：过渡金属二硫化物凭借其优异的光电特性吸引了人们的广泛关注，尤其是二硫化钼在发光器件、光电探测以及场效应管等领域有广阔的应用前景。单层二硫化钼从块体到单层，禁带由间接带隙变为直接带隙，然而，由于硫空位的形成能比较低，通常的二硫化钼为n型掺杂。负带电激子的形成限制了光生电子空穴对的辐射复合，从而造成发光强度减弱。通过p型等离子掺杂，可以实现带电激子到中性激子的转变，发光强度增强的同时伴随着峰位的移动。我们可以通过改变处理时间和功率来实现对发光不同程度的调制。这种方法将扩大二硫化钼在光电器件领域的潜在应用。研究目的：研究等离子体处理对单层二硫化钼荧光的调制并对调制的机理进行阐释。研究意义：探索出等离子处理的最优参数，实现二硫化钼发光的增强，进一步促进其在光电器件领域的应用。

2. 研究内容和预期目标

主要包括四个方面的内容：

3. 研究的方法与步骤

在研究过程中以理论研究和实验研究相结合，采用一套较为完整的方式，从原理分析、实验数据、实验现象等方面着手，加以分析和验证。从而已达到对等离子体处理对二硫化钼发光的调制并对调控的机理的了解并掌控效果。

4. 参考文献

[1] h. y. nan, z. l. wang, w. h. wang, z. liang, y. lu, q. chen, d.w. he, p. h. tan, f. miao, x. r. wang, j. l. wang, z. h. ni, strong photoluminescence enhancement of mos2 through defect engineering and oxygen bonding, acs nano, 2014, 8, 5738.

[2] j. q. zhu, z. c. wang, h. yu, n. li, j. zhang, j.l meng, m. z. liao, j. zhao, x.b. lu, l. j. du , r. yang, d. x. shi, y. jiang, g.y. zhang, argon plasma induced phase transition in monolayer mos₂, j. am. chem. soc., 2017, 139, 10216.

5. 计划与进度安排

起 止 日 期 设计（论文）各阶段任务

1．2022年11月26日-12月31日 查阅相关文献，提出有价值的潜在研究热点；

2．2022年01月01日-02月24日 文献调研，确立切实可行的研究方案；