1. 研究目的与意义
研究背景：
半导体科技是极其重要并且有影响的科技之一。为了实现高频、宽带宽、高效率以及大功率等器件的制备， 二十世纪末，第三代宽禁带（禁带宽度大于或等于2.3 ev）半导体材料开始有了重要 发展。它主要包括 iii 族氮化物、氧化锌（zno，室温下的禁带宽度为3.4 ev）、碳化硅（sic，4h-sic 室温下的禁带宽度为3.25 ev）等材料。宽禁带宽度、低介电常数、 高击穿场强、高电子饱和速度和高热导率使得第三代半导体，十分适合微波高功率、高频、高温、抗辐射和高密度集成的电子器件 的应用。
光学非线性指的是在强光下物质的响应不再正比于光场（即线性效应）。因此， 光学非线性描述的是强光与物质发生相互作用的规律，同时非线性光学也是非线性物理学的一个分支。在1960 年激光发明之后，研究者们陆陆续续地发现了许多非线性光学效应，有包括 二次谐波、和频、差频、光学参量、四波混频在内的被动非线性光学效应； 还有包括受激拉曼散射、自聚焦、自相位调制、反饱和吸收、双光子吸、光学克尔效应，光学双稳态在内的主动非线性光学效应。
2. 研究内容和预期目标
研究内容：
熟悉半导体材料的进化史以及宽禁带半导体的基本结构和物理性质；
了解光学非线性效应以及宽禁带半导体光学非线性的研究发展；
3. 研究的方法与步骤
研究方法：
利用非线性光学和半导体物理的一些基本理论和方法，结合高等数学和数学物理方法的知识进行推导，运用matlab软件编程，对问题进行运算和处理；学习如何用origin作简单的数据分析和数据处理，绘图表。
步骤：
4. 参考文献
[1]fang y, wu x z, ye f, et al. dynamics of optical nonlinearitiesin gan[j]. journal of applied physics, 2013, 114(10): 103507.
[2]said a a, sheik-bahae m, hagan d j, et al. determination ofbound-electronic and free-carrier nonlinearities in znse, gaas, cdte, andznte[j]. josa b, 1992, 9(3): 405-414.
5. 计划与进度安排
(1) 2022-11-27～2022-03-04
复习激光原理和半导体物理的知识；学习使用基本的matlab命令；学习如何用origin作简单的数据分析和数据处理；
(2) 2022-03-05～2022-03-18
