1. 研究目的与意义
一、背景：
近年来，Ⅲ-v族化合物半导体材料的研究发展迅速。其中氮化铝由于有其优良的物理特性而倍受关注。氮化铝薄膜具有高硬度、高击穿场强、高热导率、高电阻率等物理特性。由于其化学稳定性高、机械强度高、电绝缘性能佳、高能隙、热膨胀系数低，所以可用于大功率半导体器件的绝缘基片，大规模和超大规模集成电路的散热基片和应用于半导体上作绝缘层或保护层。其优良的光学特性，可以用它制作大功率的紫外光学器件；aln 作为一种宽带隙材料，具有一定的择优取向，具有高声波传输速度、优异的压电性质和高温热稳定性，是 ghz级表面声波（saw） 、体面声波器件（baw）的首选物质；独特的性质使它在机械、微电子、光学、电子元器件以及声表面波器件制造和高频宽带通信等领域有着广阔的应用前景。
薄膜各项性能指标如和表面粗糙度大小，电阻率等依赖于薄膜的制备，高质量的薄膜有利于器件应用的发展。在制备 aln 薄膜的各种方法中，磁控溅射方式，设备简单，易于控制并且重复性较好，能在低温下制备结晶良好的薄膜，可以避免损伤基片和器件，扩大了薄膜的应用范围,所以本文利用磁控溅射方法制备氮化铝薄膜。
2. 研究内容和预期目标
一、研究内容：
调研氮化铝薄膜在机械、电子、光学等领域的应用背景，查阅资料了解氮化铝薄膜具体应用和制备方法，并利用溅射法制备出氮化铝薄膜，改变制备条件如制备压强、温度、溅射功率、气流比等参数，以及退火等制备过程，通过相关表征仪器测试得出光学、电学性能等数据，并通过比较总结出实验条件对薄膜性能的具体影响。
二、预期目标：
3. 研究的方法与步骤
一、研究方法：
本实验采用磁控溅射法制备氮化铝薄膜，用rtp热处理炉进行退火，利用原子力显微镜，光学显微镜，电阻测试仪等设备对薄膜进行测试分析。
二、步骤：
4. 参考文献
1. 半导体物理学，刘恩科等．西安交通大学出版社，1998年10月第1版。
2．半导体制造技术， michael quirk (作者), julian serda (作者), 海潮和 (合著者), 徐秋霞 (合著者), 等 (合著者), 韩郑生 (译者)电子工业出版社; 第1版 ，2009年。
3.张瑶，朱伟欣，周冬，杨翼晞，唐佳琳等． 溅射气压对蓝宝石基scaln薄膜的影响[j].压电与声光.2015,37(4):693-696
5. 计划与进度安排
1-2周2022年12月16日：与老师见面，了解毕业论文总体情况，查阅文献资料任务；
1-2周 2022年2月20日-3月5日：查看毕业论文任务书，听老师介绍所选论文题目的状况和要求等。
2-3周 2022年2月27日-3月12日：完成开题报告，提交指导教师修改和审定。
