1. 研究目的与意义
背景：
随着磁存储行业近年来的迅速发展,市场对磁存储材料的记录速度要求越来越高,这就将mram等超快磁记录器件的操作频率推到了ghz频段。在这个高频段下,磁弛豫成为器件性能极为重要的一方面,人们对磁阻尼机理的深入研究产生了兴趣,为了对磁化进动的转换进行最优化,磁性材料阻尼因子的具体系统控制变得十分重要。磁性薄膜是由铁、钴、镍等一类的过渡族元素及其合金、化合物等直接或间接产生磁性的物质来制备的薄膜。磁性薄膜与普通薄膜相比, 其具有许多优异的性能，比如高磁导率、巨磁电阻效应、巨霍尔效应等。而采用磁控溅射沉积的铁磁薄膜更具有很好的软磁性能和高频特性，薄膜产量较高，易于产业化。
目的：
2. 研究内容和预期目标
研究内容
通过本科所学知识及查阅文献资料，全面地了解氮化铁薄膜的制备、薄膜性能测试和物理机理。本实验提出采用射频磁控溅射方法制备氮化铁薄膜。我们重点研究在氮气和氩气流量比，沉积气压参数固定时，调节基片温度从100~300度之间变化，变化5-6个温度点； 测试一系列薄膜性能指标，如薄膜沉积速率，磁导率等等，分析不同基片温度对铁磁薄膜磁性能的影响。
预期目标
3. 研究的方法与步骤
研究方法：
1. 薄膜沉积中，在氮气和氩气流量比，沉积气压参数固定时，调节基片温度从100~300度之间变化，变化5-6个温度点；
2. 测试一系列薄膜性能指标，如薄膜厚度，表面结构，光学折射率等等；
4. 参考文献
4．主要参考文献
1. a. anders, j. andersson, and a. ehiasarian, high power impulse magnetron sputtering: current-voltage-time characteristics indicate the onset of sustained self-sputtering journal of applied physics 2007, 102: 113303.
2. k. sarakinos, j. alami, and s. konstantinidis, high power pulsed magnetron sputtering: a review on scientific and engineering state of the art surface and coatings technology 2010, 204: 1661.
5. 计划与进度安排
第七学期
14—16周：学生网上选题，指导老师与学生双向选定后，学生根据课题收集资料；
第八学期
