1. 研究目的与意义
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背景：氧化锌(zno)是一种稳定的氧化物，在零下几十摄氏度至零上几百摄氏度的温度内可以稳定存在；zno也是一种特别受欢迎的宽带隙半导体材料(带隙为3.37ev)，激子束缚能为60 mev，易实现高效率受激发射，是制作量子效率高，激发阈值低的光电子器件的理想材料。在zno化合物中掺入mn,fe 等过渡族金属元素来替代zn2 将获了大的磁光效应和可随外加磁场调制而变化的禁带宽度,从而调节氧化锌的光电特性。
目的：采用化学气相沉积方法（cvd），在硅衬底上先后沉积掺mn的氧化锌（zno）薄膜。深入探究生长温度、气体流量、掺杂浓度等对薄膜的影响规律，制备mn掺杂的氧化锌薄膜，并探究其光电特性。最后分析数据，撰写论文。在实验上制备zno纳米晶体，并应用mn 粒子进行掺杂，分析其光学性质。并对数据进行分析和处理。
意义：根据最新研究，金属掺杂半导体的研究成为热点，诸多研究表明金属掺杂对半导体的光电特性、表面生长特性等存在显著的影响，因此，本实验探究锰掺杂对氧化锌的光电特性影响研究，该方面的研究可促进氧化锌电子器件的发展，为其在电子领域及信息技术方面的应用提供指导意义
2. 研究内容和预期目标
研究内容
1．查阅文献资料，比较全面地了解氧化锌的研究现状；
2．在认真研读文献的基础上，翻译相关英文资料，撰写资料综述，提出论文的基本框架，并写出符合要求的开题报告，提交指导教师审查，根据修改意见作出相应的修改；
3. 研究的方法与步骤
研究方法：
(1)、使用化学气相沉积法（cvd）制备薄膜。
(2)、利用原子力显微镜（afm）、x-射线衍射（xrd）研究锰掺杂对氧化锌薄膜的结构和表面形貌的影响。
4. 参考文献
[1] jin z，fukumura t，kawasaki m，eta1．high through—put fabrication of transition·-metal·-doped epitaxial zno thinfilms：a series of oxide—diluted magnetic semiconductors andtheir properties[j]．appl phys lett，2001，78：3824~3826．
[2] viswanatha r，sapra s，gupta s s，eta1．synthesis and characterization of mn—doped zno nanocrystals [j]．j．phys．chem．b，2004，108(20)：6303~6310．
[3] bagnall d m，chen y f，zhu z，eta1．room temperature excitonic stimulated emission from zinc oxide epilayersgrown by plasma—assisted mbe [j]．j．crysta1．growth，1998，184／185：605~609．
5. 计划与进度安排
1. 2017年2月20日-2022年 3月5日：下达毕业论文任务书，指导教师向学生讲授论题的状况和要求等；
2. 2017年3月1日-3月12日：学生完成开题报告，指导教师修改和审定学生论文开题报告；
3. 2022年3月13日-5月21日：学生按开题报告展开毕业论文实验，测试样品,分析数据，撰写论文；
