1. 研究目的与意义
MoS2呈六方密堆积的石墨层状结构，层与层间由弱相互作用的范德瓦耳斯力相结合，经过测定，S-Mo-S层的层厚为0.315nm，层间的距离为0.349nm，两层间极弱的S-S键极易滑动。因此，与石墨容易剥离为单原子层的石墨烯相似，通过微机械剥离辉钼也容易成为单层 MoS2膜。单层二硫化钼是具有直接帯隙1.8eV的半导体。这就使得二硫化钼在太阳能电池，晶体管，集成电路等方面有良好的发展前景。A. Kis研究组已利用剥离方法研制了电流开关比达到108，静态漏电流于2PA的单层MoS2晶体管，表明单层MoS2晶体管具有极好的开关特性、放大特性和超低的静态功耗，将在微型便携式电子系统和逻辑电路中发挥重要作用。硫化镉是一种直接带隙的的II-V族化合物半导体材料,它的带隙大约2.42eV,能够成为一种良好的窗口层材料和过渡层材料,相当适合于红外探测器和薄膜太阳能电池的窗口层。由于薄膜技术的不断发展,现在己经能够便宜的、大规模的制备硫化镉薄膜,使硫化镉薄膜的研究得到了不断发展。CdS薄膜作为一种n型宽带隙半导体材料,利用硫化镉薄膜充当窗口层与p型半导体材料复合可以构成异质结太阳能电池。
2. 研究内容和预期目标
研究内容：
通过查阅文献资料，全面了解硫化钼的制备方法和特性。利用化学气相沉积方法制备纳米mos2薄膜，并在其上制备cds薄膜，深入探究cds/mos2异质结的接触特性，分析不同厚度cds/mos2薄膜对异质结接触特性的影响；测量光照下cds/mos2异质结太阳能电池的光电流和开路电压，分析其光伏效应产生的机理，分析数据，形成论文。该方面的研究可极大地促进硫化钼光电子器件的发展，实现其在光电子领域及信息技术方面的广泛应用。
预期目标：
3. 研究的方法与步骤
研究方法：
实验上制备cds/mos2异质结太阳能电池，测量以直接的厚度形貌等对光伏特性影响。
1.在fto玻璃衬底上利用化学水浴法(cbd法)制备cds薄膜，在氮气中80℃下退火60min
4. 参考文献
[1] c. xie, p. lv, b. nie, j. s. jie, x. w. zhang, z. wang, p. jiang, z. z. hu, l. b. luo, z. f. zhu, l. wang, and c. y. wu, appl. phys. lett. 2011,99: 133113.
[2] g. eda, h. yamaguchi, d.voiry, t. fujita, m.chen, m.chhowalla，photoluminescence from chemically exfoliated mos2，nano lett., 2011, 11 (12): 5111-5116.
[3] e. gourmelon, o. lignier,h. hadouda, g. couturier, j. c.bernede, j.tedd, j.pouzed, salardenne, j. sol. energy mater. sol. cells, 1997, 46: 115-119.
5. 计划与进度安排
1. 第七学期411周，毕业论文命题，对本学院教师提出命题要求，布置任务，教师命题;
2. 12-13周：毕业论文课题申报、审题，指导教师填写毕业论文题目申报表，经系部和学院审核，然后进入教务系统进行毕业论文题目申报;
3. 14-18周，学生网上选题，学生网上选题，视学生选题情况作适当调整。选题结束，指导老师向学生下达任务，学生根据要求收集资料；
