1. 研究目的与意义
背景：近年来，由于铁电材料在纳米电子器件中的潜在应用，掀起了对铁电材料研究的广泛兴趣。CIPS/MoS2范德瓦尔斯异质结中，由于CIPS材料在室温下两个极化状态之间有着较高的能量势垒，因此在室温及更高温度下展现出稳定的铁电极化的特殊的性质，在制备低维铁电开关，非挥发铁电存储器件、铁电场效应管（Fe-FETs）、电阻随机存储器（RRAM）方面有着极大的潜力。相比于传统存储器，铁电储存器件具有读写数据的速度快和能耗低等优点。
目的：MoS2半导体材料是非常好的光电材料，本课题我们设想把单层MoS2和单层CuInP2S6薄膜组成异质结，通过调节CIPS薄膜的极化方向来调制MoS2材料的导电性能，相关实验研究已经报道过，本研究旨在将相关物理机制进一步细化明确。
意义：异质结是器件设计的重要方向之一，范德瓦尔斯异质结由于界面是范德瓦尔斯耦合，因此容易制备，无悬挂键，是超薄异质结设计的一个热门方向，本课题利用2D半导体和2D铁电材料组成的异质结，进一步可以拓展到2D磁性材料，从而可以设计出超薄的多功能纳米器件，因此是一个十分有意义的课题.2. 研究内容和预期目标
主要研究内容：
mos2是目前比较热门的二维半导体材料，在光电和光电子，以及半导体器件设计领域有着重要的应用前景，本研究课题试图通过铁电材料和二硫化钼组成的异质结，通过电场调节铁电材料的极化方向进而调节二硫化钼的导电性质，是一个比较有意义的理论研究方向，而且目前试验上相关研究已经取得了比较好的进展。
3. 研究的方法与步骤
利用vasp软件对mos2/cips异质结结构进行第一性计算，然后对计算结果进行分析研究，并通过能带理论阐述通过调节cips薄膜的极化方向来调制mos2材料的导电性能的具体机理。
具体工作如下：（1）熟悉学习vasp软件的使用与linux系统基本操作，了解第一性原理计算（2）阅读相关文献了解mos2以及cips的材料性质（3）使用vasp进行第一性原理计算，构造计算必须的poscar，potcar,incar 和kpoints文件（4）对计算结果进行分析 主要是分析电子态密度（dos）以及在cips两种不同极化状态下，mos2、cips两种材料的能带结构（5）通过对数据分析以及绘制能带结构图说明cips两种不同极化状态下mos2导电性能变化（6）由材料的晶体结构以及能带变化，阐述如何通过调节cips薄膜的极化方向来调制mos2材料的导电性能的具体机理。
（7）整理上述材料撰写成文。
4. 参考文献
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5. 计划与进度安排
1、2022年12月9日-2022年3月1日：指导教师完成在系统中毕业论文任务书的下发，系主任审核任务书。
指导教师向学生讲授所选论题的状况和要求等。
2、2022年2月24日-3月8日：学生提交开题报告等材料（开题报告、外文翻译等），指导教师审核开题报告等材料。
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